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[期刊论文] 作者：戴昌梅,郑若成,,
来源：电子与封装 年份：2010
三极管测试发现，发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明，HFE和注入效率γ、基区输运系数ατ复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力，同时设计三种测试方法...
[期刊论文] 作者：徐大为,戴昌梅,陈慧蓉,张雍蓉,
来源：电子与封装 年份：2009
文章对版图优化方法进行了研究，给出了几种版图优化的方法。通过研究发现，对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现；而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元......
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