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[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1991
本文主要报导日本光纤通信用光发射和探测器件的可靠性试验。...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1989
超高速 ps 光电探测器,主要指响应时间 t...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1985
空间光通信系统与光纤和无线电通信系统相比,有独特优点。它可在无线电通信系统涉及不到的领域和考虑不到的情况下使用。但也有缺点,即:长距离传输时(除宇宙通信外),往往受...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1985
由于光纤具有体积小,重量轻,信息容量大,抗电磁干扰,保密,寿命长等一系列优点,很快被用作海底传输光缆。到1980年底,美,日,英,法等国已相继进行了长距离海底光缆试验。本文就...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1986
日电采用1.5μm线宽的微细加工技术,在同一芯片上研制出了124万(1280×970)象素数的超高分辨率CCD图象传感器。目前实用化的图象传感器象素数一般为20万(1/2吋),水平象素400...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1988
据日刊《日经》1987年11月16日报导: NEC继研制出GB为45GHz的PLEG(择优横向扩展保护环)APD后,现又研制出GB达75GHz的InGaAs APD。该器件响应波长为1.55μm(M=10),光敏面直径...
[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1987
半导体功能器件需要先进的工艺,先进的工艺必需先进的设备。随着大规模集成电路的发展,精细加工必需的精细加工设备更加引人注目。被誉为精细加工设备中三大支柱的电子束曝...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1988
美国柯达公司电子研究所采用独特的超净处理技术,于1985年5月29日研制出世界最高像素(140万)的高灵敏度埋沟面阵CCD固体摄像器件。该器件性能如下:The United States Koda...
[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:激光与红外 年份:1991
机电部44所采用本所研制的红外LED和光敏三极管,利用红外控制技术、集成电路技术和固体开关技术综合设计而成的GCHB—1型冲床红外保安器于1990年7月24日通过了重庆市科委组...
[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1987
NEC光电子研究所用FSK光外差检波方式进行了32Mb/s,301km无中继的光纤传输实验。性能如下: 调制方式:FSK直接调制波长:1.55μm 速率:32Mb/s 距离:301kmNEC Institute of O...
[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1987
日本竹中系统机器厂最近开始市售超小型、水下摄影用CCD摄象机,其性能: 焦距:8.5mm(自聚焦透镜f=1.6) 直径:58mm 长度:193mmJapan’s Takenaka System Machine Factory re...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1986
日本东芝研制的超小型单片CCD彩色摄象机,其摄象头与摄象机控制部分(提取图象彩色信号的各种电子电路组成)等结构,用2m长的电缆连接而成。摄象头部分由于CCD器件的小型、薄...
[期刊论文] 作者:文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1987
本文介绍CCD彩色摄象机药片外观高速自动检查装置和性能。This article describes the CCD color camera tablet appearance of high-speed automatic inspection device a...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1984
一、前言可见光和红外光传感器与其它电子器件一样,正在稳步地向前发展。可见光Si CCD传感器是对以前的摄象管的变革。红外光面阵红外传感器也受到各发达国家的广泛研究。研...
[期刊论文] 作者:文继秀,
来源:半导体光电 年份:1986
据日刊《日经》1982年报导: 西德西门子准备在西德柏林兴建光通信部件专业工厂,投资约2亿马克,预计1987年完工,今年夏初已破土动工,工厂兴建完毕后制作发光器,接收器件等光...
[期刊论文] 作者:徐增禧,文继秀,
来源:微电子学 年份:1989
硅集成电路制作用的气体 表1给出的气体,是硅IC芯片制作工艺用的主要气体。这些气体有的富有反应性,有的毒性强烈。因此,应充分掌握这些气体的性质,一旦使用不当,就将发...
[期刊论文] 作者:坂上建郎,文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1980
前言 CCD是十年前美国贝尔研究所的Boyle等人发明的具有独特功能的器件。它的问世推动了IC/LSI技术的发展。世界上主要半导体厂家都相继开展了这方面的研究。经过十年的发展...
[期刊论文] 作者:岸野,正钢,文继秀,,
来源:半导体光电 年份:1979
一.前言GaAs 半导体激光器,自成功地获得 GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs 双异质结构(Double—Heterostructure,简称 DH)的外延生长以来,在短时间内得到了迅速发展。目前,GaAs—GaAlA...
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