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[期刊论文] 作者：蒋卓汛,吴征远,阮微,方志来,
来源：光源与照明 年份：2020
超宽禁带半导体单斜氧化镓(β-Ga2O3)拥有4.6-4.9 e V的禁带宽度、高介电常数与击穿电场和良好的化学与热稳定性,在紫外透明电极、高温气体传感器、深紫外光电探测器以及高压...
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