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[学位论文] 作者：景少红,,
来源： 年份：2012
射频识别（RFID）技术是一种利用射频通信实现非接触的自动识别的技术，它是利用电磁信号的空间耦合技术实现无接触的信息传递。并且，通过所传递信息达到识别对象的目的。由于射频识......
[期刊论文] 作者：景少红, 钟世昌, 饶翰, 曹建强,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2～1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm Ga...
[会议论文] 作者：景少红, 钟世昌, 曹建强, 饶翰,
来源：2019年全国微波毫米波会议论文集（下册） 年份：2019
基于南京电子器件研究所4英寸GaN HEMT工艺平台,设计了一款基于SiC衬底的0.96～1.25GHz 550W GaN宽带高效大功率放大器载片。以管芯S参数和Load-Pull测试结果进行电路设计,采用载片上完全匹配形式实现50欧姆输出。设计器件在0.96～1.25GHz频带内,在漏电压50V、脉冲......
[会议论文] 作者：钟世昌, 陈堂胜, 景少红, 任春江, 陈辰, 高涛,
来源：年全国微波毫米波会议论文集 年份：2013
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[会议论文] 作者：钟世昌,陈堂胜,景少红,任春江,陈辰,高涛,
来源：2013年全国微波毫米波会议 年份：2013
本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,......
[期刊论文] 作者：陈韬,刘柱,王琪,顾黎明,景少红,杨兴,李忠辉,彭大青,陈堂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优...
[期刊论文] 作者：陈韬,刘柱,王琪,顾黎明,景少红,杨兴,李忠辉,彭大青,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优...
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