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[期刊论文] 作者：曹得财,王六定,陈国栋,安博,梁锦奎,丁富才,
来源：功能材料 年份：2009
采用第一性原理的密度泛函理论（DFT）研究了（5，5）碳纳米管（CNT）顶端硼（B）、氮（N）、硅（Si）等元素双掺杂体系的电子场发射性能。结果表明，在外电场下，各种双掺杂CNT帽端态密度（DOS）向价带移动，电子......
[期刊论文] 作者：安博,王六定,陈国栋,曹得财,丁富才,梁锦奎,,
来源：功能材料 年份：2009
基于密度泛函理论（DFT）的DMol^3软件包，研究了（9，0）型碳纳米管（CNT）顶端掺杂B／N／Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明，掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱；加电场后，各种掺杂......
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