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[学位论文] 作者：曹芝芳,,
来源： 年份：2012
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度大及化学性质稳定等特点,在高温、高压、微波、大功率器件领域具有广阔...
[期刊论文] 作者：曹芝芳,
来源：今天 年份：2020
随着我国的发展，英语作为一门国际性语言，在学生各个阶段的地位逐渐提高。小学阶段是英语起步的关键时期，教师应注重培养学生对于英语的兴趣，从而提高课堂效率。绘本阅读能够让学......
[期刊论文] 作者：曹芝芳,
来源：今天 年份：2020
在小学语文的教育中，要求学生课内课外的阅读量达到标准，学生仅仅阅读课本中的课文是远远不够的，语文课程标准要求学生进行课内外阅读，这时候问题就展现在我们面前了，要以什么形式......
[期刊论文] 作者：曹芝芳,
来源：儿童大世界:教学研究 年份：2019
在信息技术不断高速发展的新时期,互联网与教育也进行了紧密的结合,在教育信息时代里如何能够使用网络技术,在网络环境下提升教学质量和学生的英语学习水平,这一点是非常关键...
[会议论文] 作者：孟令国,林兆军,吕元杰,栾崇彪,曹芝芳,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文设计并制作了具有浮动肖特基环的GaN肖特基二极管,研究浮动肖特基环对二极管电学特性的影响。根据C-V特性曲线的微分曲线极值点可以求得二维电子气的阈值电压、VT,同时根...
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostru
[期刊论文] 作者：曹芝芳,林兆军,吕元杰,栾崇彪,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
Rectangular Schottky drain AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with different gate contact areas and conventional AlGaN/AlN/GaN HFETs...
[会议论文] 作者：栾崇彪,林兆军,孟令国,吕元杰,曹芝芳,王占国,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备......
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier
[期刊论文] 作者：曹芝芳,林兆军,吕元杰,栾崇彪,于英霞,陈弘,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Rectangular AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) were fabricated,and the gate and the source of the HFETs consisted of AlGaN/AlN/GaN S...
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky c
[期刊论文] 作者：吕元杰,林兆军,张宇,孟令国,曹芝芳,栾崇彪,陈弘,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Ni Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures have been fabricated. The samples are then thermally treated in a furnace with N 2 ambient at 600 C for diffe...
[期刊论文] 作者：吕元杰,林兆军,于英霞,孟令国,曹芝芳,栾崇彪,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
An Ni Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is fabricated. The flat-band voltage for the Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is obtain...
[会议论文] 作者：曹芝芳,林兆军,吕元杰,张宇,孟令国,栾崇彪,陈弘,王占国,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
AlGaN/GaN异质结制作Ni肖特基接触之后,将样品在N2氛围下进行600℃热退火,退火时间分别为0.5h,4.5h,10.5h,18h,33h,48h,72h.测量样品的电流-电压(I—v)曲线和电容一电压(C—V)曲线,并进行薛定谔-泊松方程自洽迭代计算获得以下与AlGaN/GaN异质结肖特基接触相关的......
[会议论文] 作者：吕元杰,林兆军,张宇,孟令国,栾崇彪,曹芝芳,陈弘,王占国,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在......
[会议论文] 作者：栾崇彪[1]林兆军[1]孟令国[1]吕元杰[1]曹芝芳[1]王占国[2],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型...
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,Zhaojun Lin,Zhifang Cao,Chongbiao Luan,高三垒,林兆军,曹芝芳,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表...
[会议论文] 作者：吕元杰[1]林兆军[1]张宇[1]孟令国[1]栾崇彪[1]曹芝芳[1]陈弘[2]王占国[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而...
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,高三垒,Zhaojun Lin,林兆军,Zhifang Cao,曹芝芳,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密......
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