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[期刊论文] 作者：陆阳,施毅,刘建林,汪峰,顾书林,朱顺民,郑有,
来源：功能材料 年份：1999
以SiH4为生长气源，利用VLS（气相一液相一固相）互反应生长机制，在RT－CVD生长设备上通过向（111）硅衬底表面引入Au，生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生......
[会议论文] 作者：顾然,顾书林,朱顺民,黄时敏,朱振邦,郑有炓,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中...
[期刊论文] 作者：邓咏桢,孔月婵,江宁,郑有炓,朱顺民,韩平,施毅,张荣,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分...
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