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[期刊论文] 作者：朱龙德,
来源：物理 年份：1992
讨论了半导体量子阱中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系......
[期刊论文] 作者：朱龙德,g.a.b.feak,j.m.ballantyne,,
来源：半导体学报 年份：1989
本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微...
[会议论文] 作者：董颐,朱龙德,
来源：1991年全国粉末冶金学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：陈德勇,朱龙德,
来源：半导体学报 年份：1993
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱...
[期刊论文] 作者：朱龙德,陈正豪,
来源：半导体学报 年份：1990
制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29...
[期刊论文] 作者：李建蒙,朱龙德,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了CaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器,给出了增益区和吸收区分别注入电流时的三端器件结构。并在脉冲工作下得到了双稳特性。...
[期刊论文] 作者：尹军强,朱龙德,
来源：测井技术 年份：1998
探讨了金属套管井中电阻率测量的可行性，在理论上探讨套管井电阻率的测量方法及测量原理，并详细地推导测量电阻率的计算公式，在实验上，主要研究怎样在强干扰信号下测出微弱的有用......
[期刊论文] 作者：朱龙德,王莉,胡雄伟,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了InP、InGaAsP材料在质子轰击前后的光吸收特性和荧光特性,观察了热处理对这些光学特性的影响.用扫描电镜观察了DH片子解理面上质子轰击区的形貌,由此确定了一定加速能...
[会议论文] 作者：尹军强[1]朱龙德[2],
来源：中国石油学会第十届测井学术年会 年份：1997
该论文探讨了金属套管井中电阻率测量的可行性。在理论上探讨套管井电阻率的测量方法及测量原理，并详细地推导测量电阻率的计算公式。在实验上，主要研究怎样在强干扰信号下测出......
[期刊论文] 作者：董颐,朱龙德,孙绪新,,
来源：粉末冶金技术 年份：1992
研究了不同的愿料粉末、Mo含量、不同锻造温度和回火温度对Fe-Ni-Mo-C系粉末锻造钢综合力学性能和组织的影响。由水雾化4600合金粉制得的成分为Fe-2Ni-0.5Mo-0.25C、密度为7....
[期刊论文] 作者：周洁,韩志勇,卢励吾,朱龙德,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
A novel manifestation of super-lattice properties in GaAs/AlGaAs quantum well photodiode structure grown by MOCVD was observed. When a sample was illuminated, t...
[期刊论文] 作者：朱龙德,李晶,陈德勇,熊飞克,
来源：半导体学报 年份：1993
研究了InP、InGaAs体材料薄膜和InGaAs/InP量子阱和超晶格的低压MOCVD生长。InP外延层背景电子浓度为(1-5)×10~(13)/cm~3,低温电子迁移率为45240cm~2/V·s。InGaAs/InP异质...
[期刊论文] 作者：尹军强,冯启宁,朱龙德,朱曰荣,
来源：测井技术 年份：1998
尹军强，朱龙德，等．通过金属套管测量地层电阻率的可行性研究．测井技术，１９９８，２２（５）：３７６～３７９探讨了金属套管井中电阻率测量的可行性。在理论上探讨套管井电阻率的测量方法及测量原理，并详细地推导测量电......
[会议论文] 作者：王万超,施振飞,朱龙德,木春之,
来源：第四次核测井学术会议 年份：1998
Ｃ／Ｏ测井中，有时见到曲线重复性不好，测的Ｃ／Ｏ、ＳＩＣＡ、ＣＡＳＩ、ＣＩ、ＦＣＣ等值偏差较大，这些问题产生的原因有三个方面。一是中子发生器的ＭＣＳ谱不稳定造成的，一般情况下，中子管的阳极施加电压２．５ｋＶ后，滞后６μｓ左右开始电离，可是个别的中子管阳极施加电压后２￣３μｓ就开始电离，脉冲中子时间谱ＭＣＳ超始值较早，但有些中子发......
[期刊论文] 作者：朱龙德,张盛廉,汪孝杰,王莉,高淑芬,
来源：半导体学报 年份：1981
用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测...
[期刊论文] 作者：葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德,
来源：半导体学报 年份：1982
本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP...
[期刊论文] 作者：陈德勇,朱龙德,李晶,熊飞克,徐俊英,万寿科,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：1993
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱...
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