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[会议论文] 作者：邱旭,邢东,权东利,余若祺,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增...
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