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[期刊论文] 作者：崔教林,张晓军,李奕沄,高榆岚,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2012
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了...
[期刊论文] 作者：周红,应鹏展,崔教林,王晶,高榆岚,李亚鹏,李奕沄,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2013
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性...
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