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[学位论文] 作者：李妤晨,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度，来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续发展的要求，...
[期刊论文] 作者：沈路,李妤晨,杨拥军,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
碰撞电离晶体管(IMOS)在高速、低功耗领域具有很好的应用前景。以优化传统IMOS的工作电压为目的,介绍了一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管(GOI IMOS),利用Synopsys公司的IS...
[期刊论文] 作者：李妤晨,陈航宇,宋建军,
来源：物理学报 年份：2020
转换效率是微波无线能量传输系统的关键参数,为提高该参数指标,本文提出了一种GeOI折叠空间电荷区肖特基二极管,该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容,利于能量转...
[期刊论文] 作者：李妤晨,沈路,张鹤鸣,刘树林,,
来源：半导体技术 年份：2015
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称D...
Weak avalanche multiplication in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-ins
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,李妤晨,屈江涛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper, we propose an analytical avalanche multiplication model for the next generation of SiGe silicon- on-insulator (SOI) heterojunction bipolar transi...
[期刊论文] 作者：娄永乐,张玉明,徐大庆,郭辉,张义门,李妤晨,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
With RF sputtering process, Si/SiO2/Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru structure has been grown on Si(100) substrate. Attempting different targets and adjusting the...
[期刊论文] 作者：李妤晨,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,王斌,周春宇,,
来源：Journal of Central South University 年份：2014
隧道地效果晶体管(TFET ) 是互补金属氧化物半导体以后的时代的一个潜在的候选人。作为一台设备的最重要的电的参数之一，两倍门 TFET (DG-TFET ) 门阀值电压被学习。首先，特征...
Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe te
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,,
来源：Journal of Central South University 年份：2014
底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型，相反地首先发生的层是底层做依赖者，这被发现，给对在这台设备的 C...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2013
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Physically based analytical model for plateau in gate C-V characteristics of strained silicon pMOSFE
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,李妤晨,,
来源：Journal of Central South University 年份：2013
A physically based analytical model was developed to predict the performance of the plateau observed in the gate C-V characteristics of strained-Si/SiGe pMOSFET...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,宋建军,周春宇,李妤晨,,
来源：物理学报 年份：2013
由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的...
[期刊论文] 作者：周春宇,张鹤鸣,胡辉勇,庄奕琪,吕懿,王斌,李妤晨,,
来源：物理学报 年份：2004
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,宋建军,周春宇,李妤晨,,
来源：物理学报 年份：2013
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结...
Two-dimensional threshold voltage model of a nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect t
[期刊论文] 作者：李妤晨,张鹤鸣,张玉明,胡辉勇,王斌,娄永乐,周春宇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The tunneling field-effect transistor(TFET) is a potential candidate for the post-CMOS era.In this paper,a threshold voltage model is developed for this new kin...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,周春宇,王冠宇,李妤晨,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The effect of substrate doping on the flatband and threshold voltages of a strained-Si/SiGe p metal-oxide semiconductor field-effect transistor(pMOSFET) has bee...
[期刊论文] 作者：李妤晨,张鹤鸣,张玉明,胡辉勇,徐小波,秦珊珊,王冠宇,,
来源：物理学报 年份：2012
本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅...
[期刊论文] 作者：王斌,张鹤鸣,胡辉勇,张玉明,舒斌,周春宇,李妤晨,吕懿,,
来源：物理学报 年份：2013
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiG...
[会议论文] 作者：Yongle Lou,娄永乐,Yuming Zhang,张玉明,Daqing Xu,徐大庆,Hui Guo,郭辉,Yimen Zhang,张义门,Yuchen Li,李妤晨,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.42......
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