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[期刊论文] 作者：李希有,,
来源：鞍山师范学院学报 年份：1983
《北京人》是著名的戏剧家曹禺的代表作之一,国内外研讨文章甚多.但关于它的写作和首次演出时间,却有几种不同说法.如钱谷触同志的《曹禺和他的剧作》(载《上海师范大学...
[期刊论文] 作者：李希有,
来源：鞍山师范学院学报 年份：1984
曹禺原名万家宝,1910年生于天津.1926年就读于南开中学,三年后升入南开大学,后又转入清华大学外文系学习.一九三三年,二十三岁的曹禺写出了第一部剧作《雷雨》.次年七月...
[期刊论文] 作者：李希有,
来源：外国文学研究 年份：1981
【正】 小林多喜二是早为中国人民所熟知的日本无产阶级作家。但关于他的生卒年,尤其是他的殉难日,一些书刊的说法却不尽相同。如一九六五年商务印书馆编印的《近代现代外国...
[期刊论文] 作者：李希有,
来源：社会科学战线 年份：1981
编辑同志: 贵刊一九八○年第一期(总第九期)刊载的许铮同志所编的“文学日历”,将日本无产阶级作家小林多喜二的殉难日定为一九三三年二月二十二日,恐有误。经查日共中央机关报《赤旗报》,发现日本共产......
[期刊论文] 作者：李希有,周玉同,
来源：仓储管理与技术 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：李希有,郑艳春,
来源：黑龙江科技信息 年份：2015
本文通过对荣华二采区10...
[期刊论文] 作者：刘奉岭,李希有,解菊,
来源：分子科学学报：中英文版 年份：1999
自从富勒烯被发现并能常量制备以来，人们就开始了对Ｃ６０衍生物的研究．Ｃ６０ＣＨ２是Ｃ６０最简单的衍生物之一，Ｃ６０ＣＨ２有２种异构体，根据所属点群的对称性划分一种是属Ｃ２Ｖ群的Ｃ６０ＣＨ２（Ｃ２Ｖ），另一种是属ＣＳ群的Ｃ６０ＣＨ２（ＣＳ）．文献［１］.........
[期刊论文] 作者：刘奉岭,李希有,解菊,
来源：分子科学学报 年份：1999
自从富勒烯被发现并能常量制备以来，人们就开始了对Ｃ６０衍生物的研究．Ｃ６０ＣＨ２是Ｃ６０最简单的衍生物之一，Ｃ６０ＣＨ２有２种异构体，根据所属点群的对称性划分一种是属Ｃ２Ｖ群的Ｃ６０ＣＨ２（Ｃ２Ｖ），另一种是属ＣＳ群的Ｃ６０ＣＨ２（ＣＳ）．文献［１］.........
[期刊论文] 作者：王玉东,徐阳,张伟,李希有,刘爱华,,
来源：微电子学 年份：2006
欧拉电压是SiGeHBT一项重要的直流参数，受到基区结构（如Ge组分）的影响。研究发现，高温过程会导致硼的外扩散，从而影响异质结的位置，使欧拉电压受到影响。实验发现，通过优化基区结构，......
[期刊论文] 作者：李希有,周卫,张伟,仲涛,刘志弘,
来源：半导体技术 年份：2004
采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标.试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素.通过进一步优化...
[期刊论文] 作者：付玉霞,刘志弘,刘荣华,仲涛,李希有,
来源：半导体情报 年份：2000
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响...
[期刊论文] 作者：阎贵仁,温宇光,李希有,卞大明,李如秋,杨本庭,,
来源：吉林林业科技 年份：1993
栽植杨树大苗,由于苗木干粗,侧枝多,需水量大,易造成苗木缺乏水份而影响造林成活率。因此,栽植杨树大苗需对苗木进行修枝处理,以减少苗木造林后水份损失,保证造林成活率。...
[期刊论文] 作者：鲁亚诗,张伟,李高庆,刘道广,李希有,鲁勇,刘爱华,张翔,,
来源：微电子学 年份：2006
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路（MMIC）。该电路以达林顿结构的形式级联，由两个异质结双极型晶体管（HBT）和4个电阻组成；HBT采用准自对准结构，其SiGe基区为......
[期刊论文] 作者：许向东,郭福隆,周卫,刘志弘,张兆健,李希有,张伟,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2006
通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料...
[期刊论文] 作者：张伟,王玉东,熊小义,许军,单一林,李希有,刘爱华,钱佩信,,
来源：半导体技术 年份：2006
通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1．6dB@1．1GHz，明显低于无Ti...
[期刊论文] 作者：李翊,张伟,许军,陈长春,单一林,熊小义,李希有,刘志弘,钱,
来源：微电子学 年份：2006
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原...
[期刊论文] 作者：熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱,
来源：半导体学报 年份：2004
在125mm标准CMOS工艺线上，对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后，研制出了多叉指功率SiGe HBT．该器件的BVCBO为23V．在较大IC范围内，电流增益均非常稳定．在直流工作点IC=40mA，VCE=8V测...
[期刊论文] 作者：熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱,
来源：半导体学报 年份：2004
在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BVCBO为23V.在较大IC范围内,电流增益均非常稳定.在直流工作点IC=40mA ,...
[期刊论文] 作者：黄文韬,陈长春,李希有,沈冠豪,张伟,刘志弘,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2004
利用超高真空化学气相淀积(UHV／CVD)设备，在掺As n^+型Si衬底上生长了掺Pn型Si外延层．用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度，结果表明，......
[期刊论文] 作者：李翊,张伟,许军,陈长春,单一林,熊小义,李希有,刘志弘,钱佩信,,
来源：微电子学 年份：2006
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700℃及730~900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的...
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