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[学位论文] 作者：李艳炯,,
来源：重庆大学 年份：2011
第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收光的波段在200～365nm之间连续变化,其中探测...
[期刊论文] 作者：叶嗣荣,周勋,李艳炯,申志辉,,
来源：半导体光电 年份：2016
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高...
[期刊论文] 作者：赵文伯,周勋,李艳炯,申志辉,罗木昌,,
来源：红外与激光工程 年份：2013
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的...
[期刊论文] 作者：方亮,彭丽萍,杨小飞,李艳炯,孔春阳,,
来源：半导体光电 年份：2004
采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致...
[期刊论文] 作者：李艳炯,赵红,赵文伯,叶嗣荣,杨晓波,
来源：半导体光电 年份：2015
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放.用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并......
[期刊论文] 作者：方亮,钟前刚,何建,刘高斌,李艳炯,郭培,,
来源：材料导报 年份：2011
通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参...
[会议论文] 作者：钟前刚,方亮,何建,李艳炯,郭培,刘高斌,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
通过正交试验，用阳极氧化法制备了铝基板。将其封装在不同颜色、不同功率的LED上，测试了铝基扳温度随时间的变化关系，分析了铝基板的散热性能;并利用正向压降法灏试7其结温和热......
[期刊论文] 作者：李艳炯,方亮,赵红,赵文伯,周勇,杨晓波,周勋,,
来源：半导体光电 年份：2010
结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂...
[期刊论文] 作者：崔大健,张承,赵江林,敖天宏,李艳炯,严银林,
来源：半导体光电 年份：2021
针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(SAGCM)的InGaAsP/InP材料......
[期刊论文] 作者：赵文伯,许华胜,申志辉,叶嗣荣,周勋,李艳炯,黄烈云,,
来源：半导体光电 年份：2014
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基...
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