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[期刊论文] 作者：朱彦旭,王岳华,宋会会,李赉龙,石栋,,
来源：发光学报 年份：2016
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有异质结界面处的高二维电子气（2DEG）浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、......
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