搜索筛选:
搜索耗时0.1042秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 12 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,陈炳若,,
来源：武汉大学学报(理学版) 年份：2005
对商品验钞器的现状和存在的问题进行了分析,提出了合理的解决方案.在理论分析的基础上,设计并研制出一种便携式双色验钞器,该装置以紫光发光二极管(LED)和红外半导体激光二...
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,蔡克理,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2007
利用光刻胶形成保护侧墙，用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单，不需要额外的绝缘介质作为掩膜，也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP／GaAs单......
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,蔡克理,蔡树军,
来源：半导体技术 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：杜鹏搏, 崔朝探, 王瑜, 焦雪龙,
来源：2022年全国微波毫米波会议论文集（上册） 年份：2020
设计了一种由驱动级功率放大器（PA）单片微波集成电路（MMIC）芯片和末级PA MMIC芯片组成的功率放大器芯片套片。驱动级PA采用Ga As工艺,在24～31GHz的频率范围内,小信号增益大于24dB,输入、输出反射系数均＜-10dB;末级PA采用Ga N工艺,在24-28GHz的频率范围内,功率增益大于......
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,默立冬,苏国东,蔡树军,
来源：杭州电子科技大学学报:自然科学版 年份：2020
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,...
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,徐伟,王生国,高学邦,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研...
[期刊论文] 作者：杜鹏搏, 林支慷, 徐跃杭, 曲韩宾, 蔡树军,
来源：微波学报 年份：2020
基于GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC建模、设计、测试等关键技术,成功研制了一款Ka波段28W GaN功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大结构、结合功率分配及合成匹配网络,满足大功率输出要求,利用阻性网络消除奇模振荡。测试结果表明,该芯片在33～37GHz内,......
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,王瑜,焦雪龙,刘学利,崔朝探,任志鹏,曲韩宾,
来源：半导体技术 年份：2022
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定......
[期刊论文] 作者：崔朝探,陈政,郭建超,赵晓雨,何泽召,杜鹏搏,冯志红,
来源：半导体技术 年份：2022
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/（m·K）,是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装......
[会议论文] 作者：王彪,杜鹏搏,张洪林,刘亚男,孙希国,冯威,崔玉兴,高学邦,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
文章基于GaAs PHEMT工艺,对PHEMT器件材料结构和大信号模型进行了分析,采用ADS软件建立电路原理图与版图,并进行优化调整,成功设计出了一款Ka波段功率放大器芯片.电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的总栅宽以满足功率......
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,张务永,孙希国,崔玉兴,高学邦,付兴昌,吴洪江,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器...
[会议论文] 作者：杜鹏搏,张务永,张力江,王彪,张志国,武继斌,尹甲运,胡志富,付兴昌,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用...
相关搜索：
