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[期刊论文] 作者：于干,曾利彬,杨亿斌,,
来源：陕西科技大学学报(自然科学版) 年份：2009
采用二体模型,通过坐标变换把二体问题化为两个单体问题,再分别采用无限深球方势阱和氢原子模型求解,通过一定的近似,得到了ZnO量子点的基态能的近似解析解....
[期刊论文] 作者：杨亿斌,徐慎,宋琦琦,李泽裔,黄俊鸿,王雅婷,黄乐,
来源：广东工业大学学报 年份：2020
利用第一性原理计算,发现Ca原子修饰的g-C3N4(Ca-C3N4)具有高的储氢能力。H与Ca-C3N4之间增强的吸附能主要归功于H-1s和Ca-1s轨道之间较强的化学吸附以及H-1s和Ca-3d轨道之间...
[期刊论文] 作者：陈伟杰,韩小标,林佳利,胡国亨,柳铭岗,杨亿斌,陈杰,吴志盛,刘扬,张佰君,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Migration characterizations of Ga and In adatoms on the dielectric surface in selective metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) were investigated. In the typi...
[会议论文] 作者：柳铭岗,张佰君,杨亿斌,向鹏,陈伟杰,韩小标,林秀其,臧文杰,吴志盛,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还不是非常广泛.而对于Si衬底因其尺寸大、规模效益高,成本低,已越来......
Influences of stress on the properties of GaN/InGaN multiple quantum well LEDs grown on Si(111) subs
[期刊论文] 作者：柳铭岗,杨亿斌,向鹏,陈伟杰,韩小标,林秀其,林佳利,罗慧,廖强,臧文杰,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The influences of stress on the properties of In GaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) grown on silicon substrate were investigated.The different stresses were i...
[期刊论文] 作者：林秀其,柳铭岗,杨亿斌,任远,陈扬翔,向鹏,陈伟杰,韩小标,藏文杰,林佳利,罗慧,廖强,张佰君,,
来源：半导体光电 年份：2015
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,...
[会议论文] 作者：杨亿斌,林秀其,吴志盛,刘扬,张佰君,林艳,向鹏,柳铭岗,陈伟杰,韩小标,胡钢伟,胡国亨,臧文杰,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效率,其中一个有效的方法就是在LED的有源层和Si衬底......
[期刊论文] 作者：柳铭岗,王云茜,杨亿斌,林秀其,向鹏,陈伟杰,韩小标,臧文杰,廖强,林佳利,罗慧,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded...
In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si(111) substrate by reflectivity mapping in metal
[期刊论文] 作者：杨亿斌,柳铭岗,陈伟杰,韩小标,陈杰,林秀其,林佳利,罗慧,廖强,臧文杰,陈崟松,邱运灵,吴志盛,刘扬,张佰君,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this work, the wafer bowing during growth can be in-situ measured by a reflectivity mapping method in the 3×2 Thomas Swan close coupled showerhead metal org...
[会议论文] 作者：张佰君,陈扬翔,江健良,林秀其,藏文杰,林佳利,罗慧,廖强,刘扬,向鹏,柳铭岗,杨亿斌,陈伟杰,韩小标,胡钢伟,林艳,胡国亨,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
自上世纪90年代以来GaN基宽禁带化合物半导体材料和器件得到了迅猛的发展,但由于缺少GaN同质衬底材料,一直以来GaN基材料都是生长在异质衬底上.目前,商品化的GaN基材料和器件大多采用蓝宝石衬底.与蓝宝石衬底相比,Si衬底具有成本低、尺寸大、质量高、导热导电好......
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