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[期刊论文] 作者：陈建星,林伟铭,邱文宗,林伟,林易展,郑伯涛,王淋雨,章剑清,
来源：半导体技术 年份：2020
研制了一种基于6英寸（1英寸=2.54 cm）GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面......
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