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[学位论文] 作者：柯俊吉,,
来源：郑州大学 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[学位论文] 作者：柯俊吉,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2020
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性极限，限制了硅基功率器件性能极限的提升，制约了电力电子装备向更高效率、更高功率密度和更高工作温度方向发展。因此，研制物理极限更......
[期刊论文] 作者：柯俊吉, 王建平,,
来源：中国实用神经疾病杂志 年份：2018
目的探讨红细胞分布宽度(RDW)对急性脑梗死患者近期预后的预测价值。方法回顾性纳入2016-01—2017-03于郑州大学第五附属医院神经内科住院的急性脑梗死患者169例,根据改良Ran...
[期刊论文] 作者：郑璐, 柯俊吉,
来源：郑州铁路职业技术学院学报 年份：2023
目的：探讨重复经颅磁刺激（rTMS）对意识障碍（DOC）患者的促醒疗效。方法：将在郑州大学第五附属医院康复医学科治疗的58例意识障碍患者，根据随机数字表分为对照组和治疗组，各29例。对照组采用针刺治疗，治疗组予以rTMS治疗联合针刺治疗。比较治疗前后两组患者Glasgow昏迷评定......
[期刊论文] 作者：赵志斌, 柯俊吉, 马丽斌,,
来源：电气技术 年份：2015
为分析高空核爆晚期效应对电力系统的影响,本文研究了高空核电磁脉冲晚期效应对电力系统稳定性影响。根据高空核爆晚期效应感应电流对电网元件的影响,建立了电网等效模型,得...
[期刊论文] 作者：徐鹏,柯俊吉,邹琦,赵志斌,
来源：电力电子技术 年份：2018
为评估器件结温对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,利用B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪和双脉...
[期刊论文] 作者：黄华震, 柯俊吉, 孙鹏, 赵志斌,
来源：半导体技术 年份：2018
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[期刊论文] 作者：谢宗奎, 赵志斌, 柯俊吉, 孙鹏, 崔翔,,
来源：高电压技术 年份：2004
SiC MOSFET器件优异的性能使其逐渐被应用于高压高频高效变换器中,然而其器件封装和回路杂散电感在高压高频环境下严重影响并限制了其自身性能和潜力。为了准确提取器件封装...
[期刊论文] 作者：孙鹏,魏昌俊,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态...
[期刊论文] 作者：柯俊吉,谢宗奎,林伟聪,赵志斌,崔翔,
来源：华北电力大学学报：自然科学版 年份：2018
为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并在LTSPICE仿真软件中建立了双脉冲测试回路等...
[期刊论文] 作者：柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,徐鹏,崔翔,
来源：电工技术学报 年份：2018
为了评估回路及封装寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立包括所有寄生参数的开关暂态等效电路模型,详细分析器件开通和关断整个开关暂态过程。然后,在考虑实际器...
[期刊论文] 作者：魏昌俊,孙鹏,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSF...
[期刊论文] 作者：徐鹏, 邹琦, 谢宗奎, 柯俊吉, 赵志斌,
来源：半导体技术 年份：2018
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[期刊论文] 作者：柯俊吉, 赵志斌, 孙鹏, 邹琦, 崔翔, 杨霏,,
来源：半导体技术 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊,
来源：华北电力大学学报：自然科学版 年份：2018
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在...
[期刊论文] 作者：谢宗奎,柯俊吉,赵志斌,黄华震,崔翔,
来源：电工技术学报 年份：2018
在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiCMOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此...
[期刊论文] 作者：王建平, 刘贤良, 付晓杰, 张帝, 鲁争芳, 殷椿茂, 柯俊吉,
来源：实用医学杂志 年份：2018
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[期刊论文] 作者：柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎,杨霏,,
来源：半导体技术 年份：2017
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,...
[期刊论文] 作者：王建平,刘贤良,付晓杰,张帝,鲁争芳,殷椿茂,柯俊吉,满江,,
来源：实用医学杂志 年份：2018
目的探讨胆碱能信号对内源性神经干细胞（NSC）在脑梗死周围区分化的调节。方法将小鼠随机分为假手术＋溶剂组、脑梗死＋溶剂组、脑梗死＋多奈哌齐组、脑梗死＋阿托品组,每组25只。线栓法......
[期刊论文] 作者：王建平,鲁争芳,付晓杰,张帝,余列,高宇峰,殷椿茂,柯俊吉,,
来源：实用医学杂志 年份：2017
目的：观察脑梗死后室管膜下区（SVZ）胆碱乙酰基转移酶阳性（CHAT）神经元的活性变化及其对脑梗死周围区血管新生的影响，并探讨其可能的相关信号通路。方法：将小鼠随机分为假手术组、脑......
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