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[会议论文] 作者：李欢,谢圣文,张宇,柴小力,黄书山,王金良,牛智川,,
来源：应用激光 年份：2017
完成1 880nm高阶锑化镓侧向耦合分布反馈半导体激光器的制备。采用侧向耦合(Lateral coupled)结构使得外延材料可以一次生长完成,避免了外延层中Al组分容易氧化的特性导致的...
[会议论文] 作者：谢圣文,张宇,徐应强,廖永平,柴小力,杨成奥,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：杨成奥,廖永平,柴小力,谢圣文,张宇,徐应强,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过MBE外延系统生长了22μGaSb基A1GaAsSb／InGaSbI型量子阱激光器，并制备了宽面条形波导激光器件，在20℃工作温度下，器件最大连续激射功率达到1．058W，当注入电流为0．5A时，峰值波长为......
[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过MBE外延系统生长了2μm GaSb基AlGaAsSb/InGaSb Ⅰ型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058 W,当注入电流为0.5A...
[期刊论文] 作者：黄书山,杨成奥,张宇,谢圣文,廖永平,柴小力,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMS...
[期刊论文] 作者：李欢,杨成奥,谢圣文,黄书山,柴小力,张宇,王金良,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
成功制备出室温激射波长为2μm的GaSb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件’并获得室温2...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化...
High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 μm with Very Small Lateral Beam Diverge
[期刊论文] 作者：黄书山,张宇,廖永平,杨成奥,柴小力,徐应强,倪海桥,牛智川,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2004
We report high-power single-spatial-mode type-I GaSb-based tapered lasers fabricated on the InGaSb/AlGaAsSb material system. A straight ridge and three differen...
[期刊论文] 作者：柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件......
[会议论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,牛智川,
来源：第十一届全国激光技术与光电子学学术会议 年份：2016
设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21...
[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,牛智川,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰...
[期刊论文] 作者：袁野,柴小力,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,李森森,张宇,徐应强,宿星亮,牛智川,
来源：中国激光 年份：2020
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上......
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