搜索筛选:
搜索耗时0.0844秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 16 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:柴旭朝, 来源:南京大学 年份:2015
GaN作为Ⅲ族氮化物半导体材料体系的代表性材料,凭其宽禁带、高电子迁移率、高热导率等优良特性,已广泛地应用在光电探测器、发光二极管以及高电子迁移率晶体管等光电器件。然......
[学位论文] 作者:柴旭朝, 来源:江南大学 年份:2011
近年来,微机电系统(MEMS)技术随着微纳机械加工技术的快速发展而一直不断发展,MEMS传感器在汽车、生物医学、电子和国防等领域的应用越来越广泛。MEMS传感器的检测机制主要有压...
[期刊论文] 作者:方向前,刘萍,柴旭朝, 来源:中国教育技术装备 年份:2020
以中国大学MOOC平台为依托,探讨基于慕课的电路原理实验课程教学方式改革。学生充分利用网上的慕课资源,实现实验课前线上预习和设计、线下在实验室进行实践验证、课后线上进...
[期刊论文] 作者:闫李, 李超, 柴旭朝, 瞿博阳,, 来源:郑州大学学报(工学版) 年份:2019
针对电力系统动态环境经济调度(DEED)问题,提出了一种基于多学习策略的多目标鸽群优化(MLMPIO)算法.在多学习策略中,种群个体可以向外部存档集中的多个全局最优位置以及个体...
[期刊论文] 作者:但慧明,柴旭朝,于宗光,薛忠杰,, 来源:微电子学 年份:2010
设计了一种用于电荷泵锁相环(CPPLL)快速锁定的动态鉴频鉴相器(PFD)。该PFD采用传统结构,利用开关延时动态D触发器预充电,复位时间内输入时钟边沿未发生丢失,有效地消除了盲...
[期刊论文] 作者:柴旭朝, 苏小波, 顾晓峰, 于宗光,, 来源:微电子学 年份:2004
结合电荷放大原理,通过设计高性能的运算放大器,较好地完成了杂散电容的屏蔽,实现了高可靠性的微电容检测。采用CSMC0.5μmCMOS工艺,用Cadence Spectre对其进行仿真验证,能精...
[期刊论文] 作者:刘萍,方向前,王洁,柴旭朝,马彦霞, 来源:中国教育技术装备 年份:2019
针对电路原理课程教学中出现的问题,贯彻OBE教育理念,对教学方法改革进行探讨.教师积极导学,采用启发式教学,利用慕课辅助教学,形成学生为主体、教师为主导的教学方式.这些措...
[期刊论文] 作者:柴旭朝,苏小波,顾晓峰,于宗光, 来源:微电子学 年份:2010
结合电荷放大原理,通过设计高性能的运算放大器,较好地完成了杂散电容的屏蔽,实现了高可靠性的微电容检测。采用CSMC0.5μm CMOS工艺,用Cadence Spectre对其进行仿真验证,能精确检......
[期刊论文] 作者:柴旭朝,顾晓峰,戴欢,苏小波,于宗光,, 来源:传感技术学报 年份:2010
结合斩波稳定技术,通过电容匹配和多级优化的方法分别对用于MEMS微传感器的微电容读出电路的噪声性能和功耗进行了优化。基于优化分析采用两级斩波稳定电路结构,在CSMC 0.5μ...
[期刊论文] 作者:瞿博阳, 李国森, 焦岳超, 柴旭朝, 闫李,, 来源:计算机工程与设计 年份:2020
针对花朵授粉算法极易陷入局部最优解且寻优精度不高的问题,提出自适应多策略花朵授粉算法(self-adaptive flower pollination algorithm with multiple strategies,SMFPA)。...
[期刊论文] 作者:苏小波,柴旭朝,戴欢,顾晓峰,于宗光,, 来源:微电子学 年份:2010
提出一种基于CIFB结构的新型三阶2-1级联Σ-Δ调制器,设计了各级参数和数字校正电路,分析了积分器运算放大器的压摆率对信号带宽的影响;利用Matlab Simulink,对该调制器进行...
[期刊论文] 作者:彭圣,焦超凡,刘萍,柴旭朝,武明义,焦岳超, 来源:人工晶体学报 年份:2020
采用一阶反转曲线方法研究了三维Ni反点阵列中的磁偶极相互作用和磁化反转行为。以自组装聚苯乙烯球为胶体晶体模板,采用电化学沉积法制备出有序的三维Ni反点阵列。样品的孔...
[会议论文] 作者:张韵;郑有炓;谢自力;柴旭朝;王健;刘斌;陈鹏;张荣;韩平;施毅;, 来源:第四届全国信息光学与光子器件学术会议 年份:2012
  本文研究了rAI2O3 衬底上用MOCVD 系统生长的不同厚度的C面Gan 薄膜的光学性质.研究发现不同厚度Gan 薄膜的吸收截止边均在3.38eV 附近,在它们的光致发光谱中也观察到...
[期刊论文] 作者:张韵,谢自力,柴旭朝,王健,刘斌,陈鹏,张荣,韩平,施毅,郑有炓, 来源:光学学报 年份:2012
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光致发光(PL)光谱中也观察到了相同位置带边峰。利用透射谱和光致发光光谱中的干......
[会议论文] 作者:陶涛,陈鹏,修向前,赵红,施毅,韩平,郑有炓,智婷,刘斌,张荣,谢自力,庄喆,李毅,张国刚,柴旭朝, 来源:第13届全国MOCVD学术会议 年份:2014
本文研究了采用MOCVD方法在GaN衬底上生长的InGaN薄膜材料结构和光学性质之间的相互关系.采用热场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品的表面形貌进行了表征.InGaN材料表现出了典型的V型缺陷和沟壑.如图1所示,阴极荧光谱(CL)探测出了InGaN薄膜不同区域上出现了410纳......
[会议论文] 作者:智婷,陈鹏,修向前,赵红,施毅,韩平,郑有炓,陶涛,刘斌,张荣,谢自力,庄喆,李毅,张国刚,柴旭朝, 来源:第13届全国MOCVD学术会议 年份:2014
本文采用了液氮循环制冷变温光电测量探针台分别探究了蓝光和绿光LED的电学特性,变温范围涵盖10K-350K.图1为不同温度下测得的蓝光和绿光LED正向伏安特性(半对数坐标).从图中可以看出,在低偏压和中偏压区,分别出现了两段不同斜率线性依赖区域(定义为1区和2区).......
相关搜索: