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[期刊论文] 作者：桑莉莎,
来源：微电子学 年份：1985
本文简述了等离子氧化技术,这是国外近年来研究的一种低温、干法氧化工艺。它对于硅和化合物半导体的氧化有着独特的优点,是一种很有希望的新工艺。本文重点介绍了这种技术的...
[期刊论文] 作者：桑莉莎,雷淼,
来源：微电子技术 年份：1996
本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统，以3μmSi栅CMOS产品为研究对象，建立了一套全新的PCM测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体MOS生产线监控中的应用前景及由此带来的经济效益。......
[期刊论文] 作者：房振华,桑莉莎,
来源：微电子学 年份：1986
本文研究了两步三氯乙烯薄栅(～400)氧化工艺,作为制备符合HMOS-Ⅱ工艺所要求的400优质薄栅氧化层的一种新方法。其主要特点是:低温、低浓度三氯乙烯(TCE)的生长氧化,产生一个...
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