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[学位论文] 作者：樊宇伟,
来源：中国科学院微电子研究所 年份：2005
异质结双极晶体管(HBT)以其高效率、高功率密度的优势成为微波功率应用的关键器件之一。本论文对C波段InGaP/GaAsHBT直流特性、高频特性以及功率器件的设计、制造、微波功率...
[期刊论文] 作者：曾飞,高阳,樊宇伟,潘峰,
来源：中国真空学会薄膜技术学术研讨会 年份：2003
从0到接近90°改变离子束入射角度,用离子束辅助沉积制备了Co-Cu合金薄膜.当离子束入射角度45°时,获得了强织构的面心立方相亚稳相.对于入射角15°到60°的样品,垂直于离子...
[期刊论文] 作者：周世琪, 郭保全, 朱家萱, 樊宇伟, 闫江,
来源：火炮发射与控制学报 年份：2020
现代战争的多元化对两栖作战提出了更高的要求，为满足战争需求，需做出突破与革新。两栖装甲车作为两栖作战必要的一种武器装备，既要有灵活、机动的陆上性能，也要有快速、隐蔽的水上性能。针对两栖装甲车综合作战能力，归纳了近些年来国内外两栖装甲车的研究进展，详细介......
[期刊论文] 作者：樊宇伟,申华军,葛霁,刘新宇,和致经,吴德馨,,
来源：电子器件 年份：2006
通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻，电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性，提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工作在AB类，工作频率为4GHz，集电极偏置电压为3．5......
[会议论文] 作者：于进勇,苏树兵,刘新宇,夏洋,申华军,樊宇伟,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建立理论模型,分析微短路产生这些现象的原因,...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性．功率测试......
[期刊论文] 作者：郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德,
来源：半导体学报 年份：2005
采用发射极-基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP／GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load—pull...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2005
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片loa...
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