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[期刊论文] 作者：向兵,武慧微,赵高峰,,
来源：半导体技术 年份：2011
提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,...
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