搜索筛选:
搜索耗时3.4997秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：H.K.Burke,G.J.Michon,殷新开,,
来源：电子计算机动态 年份：1975
用MOS管作为负载电阻的缺点是,要获得低的维持功耗,必须是一个很高的电阻,而这就要求器件面积很大。在动态存储器里通过取消负载电阻来避开这个问题,单元的状态依靠寄生的结...
[期刊论文] 作者：R.Proebsting,R.Green,殷新开,,
来源：电子计算机动态 年份：1975
MK4096P是容量4096×1单元N沟道金属栅MOS随机存储器。设计的主要目的是为了在一个芯片上能实现使用方便和经济的优点。为达到使用方便,一般要求的地址封锁、电平转换、读出...
[期刊论文] 作者：TIMOTHY R.O'CONNELL,殷新开,,
来源：电子计算机动态 年份：2004
本文详细介绍了有时钟和无时钟的两种 N沟道 MOS 静态4 K RAM。有时钟的器件是用三种电源(+12V,+5V,-5V)的 RAM,它的信号驱动用了自举电路,而为了降低功耗和允许无限延长芯...
[期刊论文] 作者：Lo,郭志先,殷新开,,
来源：电子计算机动态 年份：1978
本文介绍了一种动态MOS RAM测试方法,并且详细地论述了开关电容(或单管)MOS RAM的测试问题。测试程序是从对制造存储器电路的工艺的了解提出来的。首先,评论有关设计弱点和失...
[期刊论文] 作者：Richard C.Foss,范新弼,曹之江,殷新开,,
来源：电子计算机动态 年份：1976
采用单管和一个存储电容组成的MOS动态存储器的单元面积可以在2平方密耳以下。有用的读出信号非常小,通常采用平衡读出。在确定总面积、价格、性能和测试难度的时候,这种读出...
[期刊论文] 作者：E.Colbourne,范新弼,殷新开,杨德新,宁玉田,尹守峻,,
来源：电子计算机动态 年份：1975
4.装配MOS LSI电路在分离器件中出现的所有与装配有关的失误形式,包括接头、管芯接触、密封性、引线的疲劳和封壳中间的问题,同样在LSI器件中也都发生。LSI器件包括有更多的...
相关搜索：
