搜索筛选:
搜索耗时0.1206秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈效建,毛昆纯,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
着重讨论南京电子器件研究所（ＮＥＤＩ）在ＧａＡｓ ＭＭＩＣ研制方面的近期进展。在详细介绍ＭＭＩＣ有源器件（ＭＥＳＦＥＴ，ＰＨＥＭＴ及ＨＢＴ）的ＣＡＤ模型建立技术及ＭＭＩＣ ＣＡＤ设计优化技术的基础上，以ＮＥＤＩ近年开发的各种ＭＭＩＣ为实例，包括发射，、接收与控制三类电路，给......
[期刊论文] 作者：李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少缺点,部分原因是由于它们采用混合集成电...
[期刊论文] 作者：李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文主要从事GaAs自对准高温栅全离子注入技术(SAG)的研究,并以此工艺为基础,制作了WSi_xN_y/GaAs SBD,栅长分别是0.8μm和0.5μm的MESFET和GaAs.高速运算放大器差分输入电路...
[期刊论文] 作者：李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技...
[期刊论文] 作者：陈效建,毛昆纯,林金庭,杨乃彬,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的...
[期刊论文] 作者：徐世晖,沈祥骥,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文在开发并确立通用电路分析程序SPICE3A7的GaAs MESFET模型及相应模型参数提取方法的基础上,对GaAs MESFET器件及相关BFL.单元电路进行了直流和瞬态的计算机模拟和部分优...
[期刊论文] 作者：徐世晖,毛昆纯,沈祥骥,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本研究工作针对研制中的GaAs二分频器某实际电路,进行了单管MESFET,串联箝位SBD和BFL或非门及环振电路的实验制作和性能测试,在确立了MESFET的计算机模型及相应模型参数提取...
[期刊论文] 作者：徐世晖,毛昆纯,沈祥骥,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文通过对器件物理机理的分析,确立了用于电路分析的GaAs MESFET模型。同时采用一种新的统计全局优化算法,解决了模型参数的提取问题,从而将SPICE_3A7应用于GaAs电路分析。...
[期刊论文] 作者：陈克金,顾炯,盛文伟,毛昆纯,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。......
相关搜索：
