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[期刊论文] 作者：江泽流,,
来源：电子工艺技术 年份：1991
本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。...
[期刊论文] 作者：江泽流,,
来源：半导体情报 年份：1992
1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸...
[期刊论文] 作者：江泽流,
来源：微细加工技术 年份：1991
阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。...
[期刊论文] 作者：江泽流,
来源：微细加工技术 年份：1988
本文简述了当前国内外微细图形加工技术的各种方式;着重介绍了用电子束曝光、氯等离子体刻蚀工艺制作高质量亚微米铬掩摸版的工艺实验及条件选择,应用效果等;还提出了干法刻...
[期刊论文] 作者：J.P.Scott,江泽流,,
来源：微电子学 年份：2004
本文介绍了用于制作集成电路的1比1电子图象投影仪的工作原理和取得的某些结果;给出了对准原理;扼要分析了影响图象畸变的诸因素;并介绍了一个作为解决片子弯曲和热膨胀问题...
[期刊论文] 作者：J.F.Allison,江泽流,,
来源：半导体情报 年份：1987
本文论述了用来制作高速GaAs金属-半导体场效应晶体管(MESFET)的源、漏和栅电极的微细光刻技术。用剥离法和常规光刻制备了MESFET的源和漏电极,并叙述了用斜角蒸发形成亚微米...
[会议论文] 作者：江泽流,邵美姑,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：Toshiharu Matsuzawa,江泽流,
来源：微电子学 年份：1982
在对接触式光刻工艺进行了详尽评价之后,我们断定出光致抗蚀剂粘附到掩模版表面上是产生图形缺陷的主要原因,并研究出了一种预防性措施——抗粘附表面转换法(SURCAS),采用此...
[期刊论文] 作者：王维军,江泽流,
来源：半导体情报 年份：1994
用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接光刻系统，采用Ｎｉ／Ａｕ剥离工艺，在大...The electro......
[期刊论文] 作者：江泽流,罗四维,等,
来源：半导体情报 年份：1989
阐述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性，着重介绍了电子束正性抗蚀剂P（MMA－MAA）的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况。......
[期刊论文] 作者：张友渝,江泽流,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻流，提高了Ｓｐｉｎｄｔ型场发射冷阴极阵列的发射均匀性。...
[期刊论文] 作者：江泽流,张仲毅,
来源：微电子学 年份：1981
本文描述了用常规制版工艺制作1微米窄条铬掩模光刻版的各种工艺困难和解决方法。在此基础上采用一些改进措施,在常规制版工艺线上,用普通光学系统,能够重复地制作出比较均匀...
[期刊论文] 作者：Phillips D Blais,江泽流,,
来源：微电子学 年份：2004
本文推导出了抗蚀剂的优值用以估计抗蚀剂组成与工艺条件的各种组合的相应分辨率。抗蚀剂在显影过程中的溶解速率与曝光能量的函数关系的测量。对计算抗蚀剂的优值提供了充足...
[期刊论文] 作者：江泽流,罗四维,王育忠,
来源：微细加工技术 年份：1986
文章简述了国外电子束曝光技术发展概况;着重介绍了为发展微细加工技术,以适应我所研制各种新型器件要求而进行的“亚微米电子束制版工艺技术应用研究”工作;给出了与选择最...
[会议论文] 作者：江泽流,吴翠英,王育中,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：江泽流,王育忠,刘贵增,
来源：半导体技术 年份：1985
本文简述了正性抗蚀剂(含正性电子束抗蚀剂)在微电子器件制造中的重要性.提出了我所电子束制版对抗蚀剂的性能要求.着重介绍了无锡化工所研制的P(MMA-MAA)和PTCEMA两种正性电...
[期刊论文] 作者：罗四维,王维军,江泽流,刘玉贵,
来源：微纳电子技术 年份：2003
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模...
[期刊论文] 作者：王维军,罗四维,江泽流,刘玉贵,
来源：微纳电子技术 年份：2002
介绍了用Leica VB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术....
[期刊论文] 作者：刘玉贵,王维军,罗四维,江泽流,
来源：微纳电子技术 年份：2002
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。The technology of making ≤0.5μm gate and T-gate on GaAs wafe...
[期刊论文] 作者：江泽流,罗四维,吴翠英,邵美姑,,
来源：半导体情报 年份：1989
简述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性,着重介绍了电子束正性抗蚀剂P(MMA-MAA)的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况...
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