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[学位论文] 作者：汤济宇,
来源：湘潭大学 年份：2018
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[会议论文] 作者：徐肖飞, 蒋丽梅, 汤济宇,,
来源： 年份：2004
主要工作包括以下几个方面:（1）建立了考虑挠曲电效应及带电粒子漂移扩散的相场模型.（2）以Pb（Zr0.1Ti0.9）O3为研究对象,在考虑了挠曲电效应情况下,研究了外延应变下及在局部力作......
Impact of interface misfit strain on the movement and tilt angle of the domain wall in ferroelectric
[会议论文] 作者：郭莉莉,汤济宇,周益春,
来源：2015中国力学大会 年份：2015
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Impact of interface misfit strain on the movement and tilt angle of the domain wall in ferroelectric
[会议论文] 作者：郭莉莉,汤济宇,周益春,
来源：2015中国力学大会 年份：2015
The effect of interface misfit strain on the movement and tilt angle of domain wall in ferroelectric thin film is investigated with a multi-coupling finite element model.Since this theoretical model i...
[会议论文] 作者：周益春,汤济宇,蒋丽梅,
来源：第十三次全国物理力学大会 年份：2014
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[会议论文] 作者：汤济宇,蒋丽梅,周益春,
来源：第十三次全国物理力学大会 年份：2014
力学性能和电性能的耦合是控制铁电薄膜畴运动的最重要因素,应变和极化的耦合,即压电性已有详细研究.最近,人们对高阶力电耦合行为挠曲电效应研究表明:在有压头机械力作用下的铁电薄膜会发生畴翻转,而力载荷下电畴翻转是通过压头尖端产生的应力梯度,即挠曲电效......
[会议论文] 作者：廖欢,汤济宇,张溢,周益春,
来源：2013中国力学大会 年份：2013
研究了不同斜切角度miscut单晶Si基底对Si/A12 O3/Bix15Nd0.85 Ti3O12 (BNT)/Pt结构铁电电容的电性能的调控,分析了其调控机理.结果表明,随miscut角度的增大漏电流呈先减小后增大的趋势,存储窗口有所增加.这是由于miscut台阶型基底会使界面附近的铁电薄膜发生应......
[期刊论文] 作者：蒋丽梅,汤济宇,周益春,郭莉莉,,
来源：现代应用物理 年份：2016
为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4&...
[会议论文] 作者：蒋丽梅,周益春,汤济宇,郭莉莉,徐肖飞,
来源：2015中国力学大会 年份：2015
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