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[学位论文] 作者：沙树林,
来源： 年份：2021
ZnO作为带隙宽度为3.37 eV(温度300 K时)的Ⅱ-Ⅵ族n型半导体,在诸多金属氧化物半导体中,由于具有高化学稳定性、高透明度、高激子结合能(60 me V)以及成本低、无毒等优点。在太阳能电池、光催化剂以及稀磁半导体等领域具有广泛的应用价值。在前人的工作中,虽然......
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