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[期刊论文] 作者：张红兵, 浦坦, 李道火,
来源：电池工业 年份：2004
介绍了非晶纳米Ni(OH)2材料的制备方法以及用XRD、TEM和SAD 3种方法研究了这种电极材料的结构特性;报导了非晶纳米Ni(OH)2电极的制备方法及其电化学性能测试方法.实验结果表...
[期刊论文] 作者：张红兵,浦坦,李道火,
来源：电源技术 年份：2004
提出了多离子不同位置替代镍离子(利用品格畸变互补性)来制备氢氧化镍电极材料的方法，并对Al^3+、Zn^2+的替代量、阴离子种类、活性剂的种类和反应温度进行了正交试验，得出了最...
[期刊论文] 作者：张红兵,浦坦,李道火,
来源：电源技术 年份：2001
纳米氢氧化材料是一种高效的镍电极材料，纳米级镍电极的制备方法对镍电极电化学性能的影响很大。研究结果表明：分散处理的纳米氢氧化镍颗粒制备的镍电极在容量与放电平台方面高......
[期刊论文] 作者：张红兵,浦坦,李道火,,
来源：电源技术 年份：2004
提出了多离子不同位置替代镍离子(利用晶格畸变互补性)来制备氢氧化镍电极材料的方法,并对AP+、Zn2+的替代量、阴离子种类、活性剂的种类和反应温度进行了正交试验,得出了最...
[期刊论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,浦坦,
来源：纳米科技 年份：2004
纳米材料和纳米技术是近20年来兴起的崭新的领域,并与许多学科相互交叉、渗透,显示出巨大的潜在应用价值,在一些领域已经获得了初步的应用。文章主要介绍了纳米材料的一些基...
[期刊论文] 作者：王锐,黄永攀,李道火,浦坦,
来源：量子电子学报 年份：2004
本文采用多离子替代制备出纳米α-Ni(OH)2电极材料.XRD测试表明其晶型为α型,TEM观察表明粒子形状不规则,大小在20～30 nm左右.通过对Zn2+、Al3+离子替代量,表面活性剂种类,阴...
[会议论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,浦坦,
来源：第三届中国(西安)纳米科技研讨会 年份：2004
纳米材料和纳米技术是近二十年来兴起的崭新的领域，并与许多学科相互交叉、渗透，显示出巨大的潜在应用价值，在一些领域已经获得了初步的应用。文章主要介绍了纳米材料的一些基本......
[期刊论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,罗丽明,浦坦,
来源：中国粉体技术 年份：2003
研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有很多...
[期刊论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,罗丽明,浦坦,
来源：材料科学与工艺 年份：2004
为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩...
[期刊论文] 作者：王锐, 李道火, 黄永攀, 罗丽明, 浦坦,
来源：佛山陶瓷 年份：2004
氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉...
[期刊论文] 作者：王锐,黄永攀,罗丽明,浦坦,李道火,
来源：硅酸盐学报 年份：2004
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理.通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚...
[期刊论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,罗丽明,浦坦,
来源：光电子技术与信息 年份：2003
氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳...
[期刊论文] 作者：王锐,黄永攀,李道火,罗丽明,浦坦,
来源：光电子技术与信息 年份：2003
氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料.本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体.XRD检测证实晶型为β相.用TEM对粉体进行形貌分析,结果表明所得产物是颗粒状纳米...
[期刊论文] 作者：王锐,李道火,黄永攀,罗丽明,浦坦,
来源：激光与光电子学进展 年份：2003
综述了近二十年来以扫描隧道显微镜为代表的、基于探针的成像显微装置基本原理及应用领域。The basic principles and application fields of probe-based imaging microsc...
[期刊论文] 作者：陈磊,黄永攀,浦坦,郭晓勇,赵文武,张为俊,,
来源：量子电子学报 年份：2006
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理，通过增加正交紫外光束激励NH3分解，提高气相中n（N）／n（Si）比，从而减少产物中游离硅的浓度，制备出粒径7～15nm的无团聚、理想化学......
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