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[学位论文] 作者：潘才渊,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
GaN基HEMTs器件由于其优越的性能,在高频高温大功率微波器件中有着十分广阔的运用前景。然而GaN HEMTs器件存在高的栅泄漏和电流崩塌问题,MOS-HEMTs能够有效地减小栅漏电,但...
[会议论文] 作者：潘才渊,杨丽媛,杨凌,马晓华,张进城,郝跃,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有......
[会议论文] 作者：杨丽媛,潘才渊,马骥刚,郝跃,王冲,马晓华,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降低,此外2DEG密度的降低也......
[会议论文] 作者：潘才渊[1]杨丽媛[2]杨凌[2]马晓华[3]张进城[2]郝跃[2],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。 常规...
[期刊论文] 作者：杨丽媛,郝跃,马晓华,张进成,潘才渊,马骥刚,张凯,马平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Direct current(DC) and pulsed measurements are performed to determine the degradation mechanisms of Al-GaN /GaN high electron mobility transistors(HEMTs) under...
[会议论文] 作者：杨丽媛[1]潘才渊[2]马骥刚[2]郝跃[1]王冲[1]马晓华[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分...
Characterization of Al_2O_3 /GaN/AlGaN/GaN metalinsulator-semiconductor high electron mobility trans
[期刊论文] 作者：马晓华,潘才渊,杨丽媛,于惠游,杨凌,全思,王昊,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper,in order to solve the interface-trap issue and enhance the transconductance induced by high-k dielectric in metal-insulator-semiconductor (MIS) hi...
[期刊论文] 作者：马晓华,于惠游,全思,杨丽媛,潘才渊,杨凌,王昊,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
An enhancement-mode (E-mode) AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMTs) was fabricated with 15-nm AlGaN barrier layer.E-mode operation was achieved by...
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