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[期刊论文] 作者：熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1981
本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器...
[期刊论文] 作者：熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
UJFET硅功率场效应晶体管的栅极由垂直沟扩散p-n结构成,主要优点是图形因子F(源面积/栅面积)可做得比较大,实际已达1.8,而表面栅型仅0.4～0.6.另栅极深度易调整,因此放大因子μ...
[期刊论文] 作者：熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
本文对SIT放大因子μ作了分析计算,概括了影响μ的各种因素,求出了有实用价值的公式,并用实验数据加以检验,理论和实验符合良好.In this paper, the calculation and calcu...
[期刊论文] 作者：熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
SIT是一种场效应晶体管,当前国内外共有三种结构类型:埋栅结构、表面栅结构和垂直沟栅结构。后者优于前两者。前几年GTE报导了用垂直沟栅结构SIT研制微波功率器件的设想,至...
[期刊论文] 作者：熊承堃,刘良俊,
来源：发明与革新 年份：2001
20世纪物理学取得了辉煌成就.物理学成为现代技术的基础,促进了人类社会物质文明和精神文明的大发展.众所周知,物理学近代两大支柱是:量子力学和相对论.当科学家们将其用于亚...
[期刊论文] 作者：林金庭,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热氧化或惰性气体中热处理,可以在其表面获得P-N结.这种P-N结具有下述特点:(1)可重复地得到大面积、均匀的浅结,P-N结结深...
[期刊论文] 作者：朱恩均,王因生,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质...
[期刊论文] 作者：王因生,张晓明,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高...
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文研究双掺杂硅单晶片在非氧化气氛下高温热处理形成P-N-P双重结的现象.利用非氧化热处理杂质再分布理论解释了P-N-P重结的形成,结深的理论计算与实验值符合良好.根据再分...
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
双掺硅单晶片经热氧化后在其表面能够形成浅而均匀的P-N结.本文研究这类P-N结的基本特性,在耗尽层近似下给出P-N结空间电荷区中电场分布和电势的解析表达式,并讨论分析P-N结...
[期刊论文] 作者：徐剑虹,盛文伟,熊承堃,朱恩均,陈坤基,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研...
[期刊论文] 作者：林金庭,徐稼迟,王因生,桂德成,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶。单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点。本工作对P-N结形成的规律进行了理...
[期刊论文] 作者：王因生,盛文伟,汪建元,张晓明,熊承堃,朱恩均,
来源：半导体学报 年份：1989
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅（n+a-Si∶H）作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21...
[期刊论文] 作者：杜家方,何宇亮,叶峰,熊承堃,张晓明,李寿林,朱菊珍,
来源：电子学报 年份：1987
本文报道了无定型硅基钝化膜在功率晶体管中的应用情况。实验结果表明:采用此钝化膜有助于改善平面p-n结的电气性能和表面抗污染能力,提高了器件的可靠性和稳定性。对此钝化...
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,盛文伟,张晓明,汪建元,茅保华,朱恩均,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T...
[期刊论文] 作者：谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，Nanjing Institute of electrical devices using φ75mm silicon developed into a pulse output...
[期刊论文] 作者：韩平,胡立群,王荣华,江若琏,顾书林,朱顺明,张荣,郑有炓,茅保华,傅义珠,汪建元,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京...
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