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[学位论文] 作者：熊景枝,,
来源：电子科技大学 年份：2017
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带材料的典型代表,具有禁带宽度大,临界击穿电场高,热导率高,载流子饱和速度高等优点,是目前功率半导体领域的研究热点。碳化硅绝缘栅双极晶体管(S...
[会议论文] 作者：于亮亮,熊景枝,田瑞,李威,郭星奂,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
随着科技的发展,手机等便携式数码产品变的越来越智能、越来越薄,但同时其功耗也变的越来越大.带来的问题便是这些数码产品经常电量不足,给消费者带来了很大的不便.若是在家里或者办公室,我们可以随时携带着充电设备来充电;但如果在户外呢?而且,手机作为一种即......
[期刊论文] 作者：周嵘,张玉蒙,李泽宏,熊景枝,张金平,,
来源：电子元件与材料 年份：2016
在高压功率器件领域，常规的场限环技术由于环的个数较多，占用芯片面积较大，导致终端的效率很低。为了改善这一缺点，提出了一种带P-埋层的新型高压终端技术，有效降低了主结边缘处的......
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