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[学位论文] 作者：王彩玮,,
来源：中国科学院大学(中国科学院物理研究所) 年份：2019
近年来,GaN基半导体材料由于具有宽禁带、高击穿电压和高载流子迁移率等优异性能而被广泛应用于光电子和功率器件。目前商业化使用的一般为沿[0001]方向生长的极性面c面GaN基...
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