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[学位论文] 作者：王泉慧,,
来源：大连海事大学 年份：2019
班轮运输公司的集装箱运输是一个耗资数十亿美元的行业,承担着世界贸易中供应商和客户之间的主要部分。随着航运业的发展,不同班轮企业的竞争日益激烈。班轮公司一般提前半月公布船期表,船舶按照预定的时间到港装卸货物,客户可根据此表发货时间预定舱位。受天气......
[期刊论文] 作者：郑红星,王泉慧,任亚群,,
来源：计算机应用 年份：2019
针对班轮企业由于提前公布船期表,但受货运需求的波动和潮汐的影响引起的多船型船舶调度问题进行研究。首先系统分析了一家班轮企业近洋运输航线结构;然后考虑大型船舶需乘潮进出港口,以及适当条件下允许租船的实际情况,兼顾班轮船期表的限制,构建了以运输总成......
[期刊论文] 作者：郑红星,任亚群,王泉慧,
来源：高技术通讯 年份：2019
为降低在区域航运网络上提供不定期货运服务的航运企业运营成本,本文研究了不定期船舶的调度优化。以区域内不同港口间货运需求已知为前提,重点考虑泊位时间窗和每个港口可装...
[期刊论文] 作者：刘海琪,王泉慧,栗锐,任春江,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD（ICPCVD）工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在...
[期刊论文] 作者：刘海琪,王泉慧,焦刚,任春江,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,杨立杰,王泉慧,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放...
[期刊论文] 作者：焦刚, 曹春海, 薛舫时, 杨立杰, 王泉慧, 王柏年, 金,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了GaN高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺,讨论了几种测试方法的优缺点,并根据器件制作的工艺兼容性,在n-GaN样品上获得了4×10-6Ω·cm2的欧姆接触,在...
[期刊论文] 作者：任春江,李忠辉,余旭明,王泉慧,王雯,陈堂胜,张斌,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material...
[期刊论文] 作者：焦刚, 曹春海, 薛舫时, 杨立杰, 王泉慧, 王柏年, 金龙,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
...
[期刊论文] 作者：陈继义,蒋幼泉,陈堂胜,刘琳,王泉慧,吴禄训,李祖华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受功率大、功率线性好、插人损耗小、单片集成...
[期刊论文] 作者：任春江,王泉慧,刘海琪,王雯,李忠辉,孔月婵,蒋浩,钟世昌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法...
[会议论文] 作者：Gang Chen,陈刚,Quanhui Wang,王泉慧,Li Li,李理,Haiqi Liu,刘海琪,Song Bai,柏松,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或......
[期刊论文] 作者：任春江,陶洪琪,余旭明,李忠辉,王泉慧,王雯,陈堂胜,张斌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提...
[期刊论文] 作者：任春江,王泉慧,刘海琪,王雯,李忠辉,孔月婵,蒋浩,钟世昌,陈堂胜,张斌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法...
[会议论文] 作者：任春江;王泉慧;刘海琪;王雯;李忠辉;孔月婵;蒋浩;钟世昌;陈堂胜;张斌;,
来源：2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2012
文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GH...
[会议论文] 作者：GangChen[1]陈刚[2]QuanhuiWang[1]王泉慧[2]LiLi[1]李理[2]HaiqiLiu[1]刘海琪[2]SongBai[1]柏松[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻...
[期刊论文] 作者：焦刚,曹春海,薛舫时,杨立杰,王泉慧,王柏年,金龙,张卫红,沈波,周玉刚,郑有炓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接...
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