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[学位论文] 作者：王疆靖,,
来源：北京工业大学 年份：2014
当材料尺度降至纳米时，任何外部环境（如外力、热场、电场等）的变动都可能对它们结构及性能带来较大的影响，纳米材料是目前各类纳米元器件的构建基础，研究它们在外场加载下的结构演......
[期刊论文] 作者：王疆靖,邵瑞文,邓青松,郑坤,,
来源：物理学报 年份：2014
半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围,被认为是应变工程理想的研究材料,引起了人们广泛的关注.本研究中,利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切...
[期刊论文] 作者：王疆靖, 蒋婷婷, 田琳, 张丹利, 张伟,,
来源：中国材料进展 年份：2019
相变存储器是目前最具潜力的新式存储设备之一,其存储性能主要取决于相变材料的结构-性能关系,因此结构表征对于相变存储非常重要。透射电子显微镜(TEM)是表征材料形貌、结构...
[期刊论文] 作者：高攀,王疆靖,王晓东,廖志明,邵瑞文,郑坤,韩晓东,张泽,,
来源：电子显微学报 年份：2015
在透射电子显微镜下，对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中，利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术，选取了单根GaAs纳米线......
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