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[学位论文] 作者：甘学伟,,
来源：武汉大学 年份：2015
Ⅲ-Ⅴ族氮化物有着许多特性,比如直接带隙和高激子结合能。这些特性使得Ⅲ-Ⅴ氮化物广泛应用于光电器件以及高功率高频率器件中。但是二元氮化物(InN,GaN和A1N)之间较大的晶...
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