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[期刊论文] 作者：申屠伟进,胡飞,韩彦军,薛松,罗毅,钱可元,
来源：光电子·激光 年份：2005
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背...
[期刊论文] 作者：马洪霞,韩彦军,申屠伟进,张贤鹏,罗毅,钱可元,
来源：光电子．激光 年份：2006
提出了新型的Ni／Ag／Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率（SCR）的p-GaN欧姆接触电极。在Ni／Ag／Pt厚度分别为3nm／120nm／2nm的条件下，在500℃、O2气氛中退火3min，获得了80％的光学反......
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