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[期刊论文] 作者：石广元,
来源：新疆人文地理 年份：2014
梵高的《向日葵》美在花瓣，每一片都是迸发的渴望，像是囚徒望向自由的眼神，像后裔射向太阳的飞矢。这是梵高的生命，围着赞美阳光而生，梵高的旅途，阳光始终在背后，明亮的光辉拥抱他的轮廓，却也把他的身影拉长，叫他每一次的前进都踏在阴影里。有人觉得这是不幸，因为梵高潦倒......
[期刊论文] 作者：石广元,
来源：教育理论与实践 年份：1983
【正】 学校是塑造人的思想、培育人才的地方,在建设社会主义精神文明的过程中,具有特殊的地位和作用。我们学校教育工作者,贯彻十二大精神,在教育战线开创社会主义现代化建...
[期刊论文] 作者：石广元,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1995
本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺This article discusses the characteristics and working principle of the dual-gate MOSFET, br...
[期刊论文] 作者：石广元,,
来源：人民教育 年份：1988
师范学校的同学们:我是1949年祖国解放那一年考上师范的,1952年毕业当了小学教师。旧社会有个说法:“家有三斗粮,不当孩儿王”,我们这一辈人多少受这种思想的影响,也有人不...
[期刊论文] 作者：石广元,
来源：新疆人文地理 年份：2014
如果你看到清凉如箭的冰山雪水怎样沿着尤勒都斯盆地蜿蜒而下，汇集成九曲十八弯的河流；如果你看到细密簇拥的青草怎样争相伸展着鲜嫩的茎叶，你一定会懂得，只有巴音布鲁克草原这样的洁净之地，才配拥有与这些高贵天鹅在一起的欢娱时光。 中国摄影家协会会员，中国文化......
[期刊论文] 作者：B-Y.Tsaur,石广元,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术超过本体硅技术的各种优点.还讨论了SOI 的CM...
[期刊论文] 作者：J.C.Sturm,石广元,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的...
[期刊论文] 作者：石广元,胡延年,
来源：微处理机 年份：1998
以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－－ＭＯＳＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。...
[期刊论文] 作者：尹光,石广元,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：1997
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。...
[期刊论文] 作者：丛众,石广元,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：1992
鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法...
[期刊论文] 作者：Sturm,JC,石广元,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的...
[期刊论文] 作者：Perry J.Robertson,石广元,
来源：微电子学 年份：1987
我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。发现500μm的器件在4.2K下的有效迁...
[期刊论文] 作者：王中文,石广元,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1998
本文讨论了烧结工艺对可控硅参数的影响，并对存在的问题进行分析，通过对烧结工艺的改进，使工艺中存在的一些问题得到了解决，从而提高了产品的合格率．In this paper, the influen...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广元,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1981
本文报告了一种 VMOS 管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了该种短沟 VMOST 阈电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了 VMOS 短沟道器件具有高击穿电压,高截止频率的优点。...
[期刊论文] 作者：高嵩,石广元,等,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：2001
通过对VDMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析 , 发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响.可以来用一种新型的具有浅扩散p +区的自对准VDMOS结构,以完全消...
[期刊论文] 作者：孙立红,石广元,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：1999
就目前可得到的压力传感和集成电路片，介绍了压力传感器的信号调理电路的设计。...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广元,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1993
本文评述微传感器和微执行器的发展 。...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广元,
来源：半导体技术 年份：1981
本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。This article...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广元,
来源：电子学报 年份：1993
本文简要地评述了微机构、微传感器、微执行器的发展,提出了微机械电子学系统的概念,指出了微机械电子学系统的发展前景。更多还原...
[会议论文] 作者：杨晓云,石广元,
来源：第十次全国电子显微学会议 年份：1998
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