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[期刊论文] 作者：石林初,
来源：微电子技术 年份：2003
IC生产线开发新品和核算成本时,需要估算晶圆上有效芯片数.靠经验公式估算通常有较大误差.作者曾提出一个精确的计算晶圆上有效芯片数的椭圆公式[1],适合于大规格晶圆和高成...
[期刊论文] 作者：石林初,,
来源：集成电路应用 年份：2002
现有用来做ESD核查和评估的计量方法是测量静电场与/或电荷。这些参数并不能直接表征ESD事件，即对能导致器件失效的机器性能做出精确评估方面，它们无能为力。电场天线和Tektron...
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：微电子技术 年份：1997
本文以ＤＡＩＳＹ软件为例，验证了双极模拟ＩＣ使用版图设计规划检查ＤＲＣ的方法，包括建立标准格式文件ＤＲＣ；拷贝并修改成适合特定品种的文件，将源程序编译成目标程序；执行目标以及修改设计等内容。由于结......
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：微电子技术 年份：1997
本文在ＣＤ７３５８ＧＳ关键图形设计实践的基础上，总结了旨在监测元器件特性和监控工艺能力的关键图形的设计方法，从而为分析工艺缺陷、设计容限、工艺稳定性等找到了切实有效的方法，并为进而提......
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：微电子技术 年份：1998
单边工序能力指数Cp和单道工序的成品率y是全面质量管理TQC（TotaQualityControl）中的两个关键本数。本文利用余误差函数表，用线性描值修正法计算了不同Cp时的y值，给出了对应在格，...
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：半导体技术 年份：1999
提出了一种模拟任意形状的薄层电阻的方法－－电阻网络元模拟算法。将模拟值和计算值进行比较表明，该方法具有精度高和操作简单的优点，从而在ＩＣ的设计中获得广泛的应用。...
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：半导体技术 年份：1999
由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。...
[期刊论文] 作者：石林初,,
来源：集成电路应用 年份：2003
开发新产品时，经常要估算晶圆上有效芯片数，以往大多靠经验公式估计，它们通常有较大的误差，本文提出了精确计算晶圆上有效芯片数的新算法——椭圆公式，它特别适合于大规格晶圆，高成......
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：电子学报 年份：1998
单道工序能力指数Ｃｐ和单道工序的成品率ｙ是全面质量管理的两个关键参数。本文利用余误差函数表和线性插值修正法计算了不同Ｃｐ的ｙ值，并给出了对应表格，从而大大方便了数理统计方法在工......
[期刊论文] 作者：石林初,
来源：江南半导体通讯 年份：1992
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[期刊论文] 作者：石林初,王向东,
来源：微电子技术 年份：2000
本文基于人工神经网络的非线性和容错性，对集成电路生产工艺进行了分析和优化。主要内容有：１．使用人工神经网络方法建立模型，确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射关系，构造以工......
[期刊论文] 作者：石林初,石寅,
来源：微电子技术 年份：2000
在集成电路的版图设计中，有两个步骤很重要：在ＥＤＡ系统上对ＩＣ版图提取元器件和连线表，构成线路图；再将它与独立设计的线路图进行同一性验证。其中，前者较重要，而模块识别又是从版图提取线......
[期刊论文] 作者：王向东,石林初,
来源：半导体学报 年份：2000
以提高生产成品率为目标，利用神经网络的非线性和容错性，对半导体芯片生产过程进行了分析和优化，具体内容如下：（１）使用神经网络方法建立模型，确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射......
[期刊论文] 作者：石林初,赵文遐,
来源：微电子技术 年份：1999
集成电路工艺监测版PCM（ProcessingControol，Monitor）在双极IC中应用广泛。它至少应该有四种基本的功能：测量元器件的特性，监控制造工艺能力，发现寄生效应以及工艺中的随机缺陷。在......
[期刊论文] 作者：石林初,杜行尧,
来源：半导体学报 年份：2000
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的，描述该效应的微分方程早已建立，这里设计了一种用ＳＰＩＣＥ验证精确解／近似解的新方法。结果表明：近似解是在Ｖ（ｘ）〈〈ＶＴ的前提条件下求得的......
[期刊论文] 作者：林鸿生,石林初,
来源：电子器件 年份：2002
介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管有关教学提供更确切的理论依据....
[期刊论文] 作者：林鸿生,石林初,
来源：光电子技术 年份：2001
介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管设计提供更确切的理论依据....
[期刊论文] 作者：杜行尧,石林初,等,
来源：微电子技术 年份：2000
本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Seff，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计。作为应用实例，给出了工作频率分别为30MHz、108MHz、400MH...
[期刊论文] 作者：杜行尧,石林初,等,
来源：微电子技术 年份：2001
在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用[4]～[7]的基础上，研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分析，实现了射频功率晶体管版图的系列化设计和优化......
[期刊论文] 作者：石林初,石寅,朱荣华,
来源：微电子技术 年份：2000
在集成电路的版图设计中，有两个步骤很重要：在ＥＤＡ系统上对ＩＣ版图提取元器件和连线表，构成线路图；再将它与独立设计的线路图进行同一性验证。其中，前者较重要，而模块识别又是从版图提取线......
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