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[期刊论文] 作者：祁金伟,田凯,张勇,张安平,
来源：微纳电子技术 年份：2020
采用自对准工艺制备了1.2 kV 4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90～490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究...
[期刊论文] 作者：张育林,祁金伟,李小虎,柳松玮,,
来源：火工品 年份：2016
针对于混合火炸药及其制品系统,将不确定信息处理算法-模糊算法与BZA 安全评估方案相结合,提出一种改进型混合火炸药BZA-2 安全评估数学模型.该模型获得的评价结果能够更加科...
[期刊论文] 作者：张育林,祁金伟,李小虎,柳松玮,,
来源：安全 年份：2016
本文运用优化的BzA法对于弹药装填的机器人及成套自动化生产线中的危险性权重大的环节提出改进意见，使整个流水生产线在安全的状态下从事生产。...
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