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[学位论文] 作者：章宁琳,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2003
SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题，本文根据国家973项目，国家自然科学基金等国家任务的需要，开展了体Si和SOI上高κκ介质材料的制备、性能及其应用的研...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,等,
来源：功能材料 年份：2002
随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非...
[期刊论文] 作者：章宁琳,毛贤仙,等,
来源：电源技术 年份：2001
综述了富液式铅酸蓄电池和VRLA电池对隔板的不同需求，详细列举了VRLA电地隔板提出的新要求；根据铅酸蓄电池应用领域的不同，包括启动、点火、照明用（SLI）、工业用、阀控密封式及牵......
[期刊论文] 作者：胡信国, 章宁琳, 陈威,,
来源：电池 年份：2001
采用循环伏安法研究了几种板栅合金添加剂对电池过放电后容量恢复性能 (CRP)的影响。采用恒电位极化后续线性电位扫描法对添加剂进行初选 ,并通过电池充放电循环实验验证 ,结...
[期刊论文] 作者：章宁琳, 胡信国, 毛贤仙,,
来源：电源技术 年份：2001
综述了富液式铅酸蓄电池和VRLA电池对隔板的不同需求 ,详细列举了VRLA电池对隔板提出的新要求 ;根据铅酸蓄电池应用领域的不同 ,包括启动、点火、照明用 (SLI)、工业用、阀控...
[期刊论文] 作者：汪扬,宋志棠,章宁琳,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2003
光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料.在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,万青,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2002
随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁,
来源：半导体学报 年份：2003
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示：ZrO2薄膜成分均一，为完全氧化的ZrO2，其中Zr：O=...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形...
[期刊论文] 作者：章宁琳,胡信国,毛贤仙,ZHANG Ning-lin,HU ,
来源：电源技术 年份：2004
综述了富液式铅酸蓄电池和VRLA电池对隔板的不同需求，详细列举了VRLA电池对隔板提出的新要求；根据铅酸蓄电池应用领域的不同，包括启动、点火、照明用（SLI）、工业用、阀控密封式及......
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,邢溯,万青,林成鲁,
来源：中国激光 年份：2003
采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温...
[会议论文] 作者：章宁琳,宋志棠,刑溯,万青,林成鲁,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO/Si和SiO/Si衬底上制备了ZrO薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研究了衬底温度对ZrO薄膜结晶性能的影响;薄膜...
[期刊论文] 作者：胡信国,阎智刚,章宁琳,童一波,毛贤仙,
来源：电池 年份：2001
能源危机和环境污染的日益严重使得世界各地都掀起了研制和开发电动车的热潮。车载电源是电动车的心脏，它直接影响到电动车的整车性能。综述了电动车用电源的性能要求，涉及了欧......
[会议论文] 作者：胡信国,闫智刚,章宁琳,童一波,毛贤仙,
来源：第二十四届中国化学与物理电源学术会议 年份：2000
目前在国外开发的电动车电池的种类很多,几乎包括了目前问世的各种先进电池.本文以先进铅酸电池为主作一介绍....
[期刊论文] 作者：万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉...
[会议论文] 作者：万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,林成鲁,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的AlO过渡层,接着在AlO过渡层上采用准分子脉冲激光淀积(PLD)法制备Pb(ZrTiO(PZT)铁电薄膜.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发AlO能获得高质量的A......
[期刊论文] 作者：章宁琳,万青,宋志棠,沈勤我,祝向荣,林成鲁,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
Zirconium oxide films were deposited on p-type Si(l00) substrates using high vacuum electron beam evaporation (HVEBE) at room temperature. X-ray photoelectric s...
[期刊论文] 作者：ZHANG Ning-Lin(章宁琳),SONG Zhi-Tang(宋志棠),SHEN Qin-Wo(沈勤我),LIN Cheng-Lu(林成鲁),
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Amorphous zirconia thin films were deposited directly on silicon-on-insulator (SOI) substrates with thin top silicon by ultra-high vacuum electron beam evaporat...
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