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[期刊论文] 作者：福田益美,管怌恺,,
来源：半导体情报 年份：1975
最近,硅双极型晶体管在4千兆赫下输出功率可达5瓦。当前,由富士通研究所研制成功的,1974年在IEDM上发表过的大功率GaAsF-ET达到了8千兆赫下输出1.6瓦,10千兆赫下输出0.7...
[期刊论文] 作者：伊藤纠次,管怌恺,,
来源：半导体情报 年份：2004
在砷化镓场效应晶体管中的应用如图1所示,GaAs材料的电子迁移率高,在较低电场下具有高的漂移速度,此外与硅相比其禁带宽度宽,因此,GaAs作为微波用的材料(从可以做开关速度快...
[期刊论文] 作者：寺崎健,管怌恺,赵平海,,
来源：半导体情报 年份：2004
目前,显示出电压增加而电流不饱和的真空三极管全新特性的场效应晶体管,由于其特性新颖和优越,不仅适用于高频领域,而且开始向功率机器和高频机器等领域发展。其特点大致归...
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