搜索筛选:
搜索耗时0.0884秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 52 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：缪向水,,
来源：中国科技成果 年份：2014
相变随机存储器是一种电阻式存储器，它以硫属化合物为储存介质，利用电流产生的热量使材料在晶态（低阻相）与非晶态（高阻相）之间相互转换实现信息的写入和擦除，信息的读出则靠测量材料......
[期刊论文] 作者：李祎,缪向水,,
来源：国防科技 年份：2016
存储与计算融合是发展下一代高性能并行计算架构的颠覆性思路。基于忆阻器的非易失性逻辑运算是实现存储与计算融合的有效途径,近些年受到学术界和工业界的广泛关注。从通过...
[期刊论文] 作者：缪向水,胡用时,
来源：传感技术学报 年份：1994
无触点InSb磁敏电位器是利用半导体磁阻效应制成的非接触式传感器,它具有无接触摩擦、分辨率高、寿命长等优点,可广泛地用作角度传感器、直线位移传感器、压力传感器、倾...
[期刊论文] 作者：胡用时,缪向水,
来源：华中理工大学学报 年份：1994
从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克乐效应的增强机理，研究了轻稀土元素ＬＲＥ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ）掺入后（ＬＲＥ，ＨＲＥ）－ＴＭ薄膜的稀土成分比和溅射时基片负偏压薄膜磁光克尔角的影响，研......
[期刊论文] 作者：缪向水,胡用时,
来源：华中理工大学学报 年份：1995
研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的ＡｌＮ及......
[期刊论文] 作者：胡用时,缪向水,等,
来源：功能材料 年份：1995
研究了磁性薄膜场电效应的测试方法，RE－TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性，实验结果表明，制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为－38℃。......
[期刊论文] 作者：缪向水,李佐宜,
来源：功能材料 年份：1994
本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作......
[期刊论文] 作者：缪向水,李佐宜,
来源：无机材料学报 年份：1994
本文研究了磁光盘介质薄膜－ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的电子显微结构，通过透射电镜分析了ＡｌＮ薄膜的多晶结构和ｃ轴垂直取向；通过Ｘ射线衍射分析、透射电镜分析和Ｘ射线光电子能谱分析，确定了ＡｌＳｉＮ薄膜并不是多晶ＡｌＮ和......
[期刊论文] 作者：缪向水,李佐宜,
来源：磁记录材料 年份：1993
本文利用射频磁控溅射方法制备了CoCr垂直磁化膜样品,研究了其磁光克尔效应及其不同温度下的磁光克尔回线。并利用CoCr膜的磁光克尔效应的温度特性来说明CoCr膜具有很好的温...
[期刊论文] 作者：缪向水,李佐宜,
来源：应用科学学报 年份：1995
用射频溅射和反应射频溅射方法分别制备了ＲＥ－ＴＭ磁光记录薄膜及其保护膜，并从膜面测量和背面测量两侧面分别研究了覆盖保护膜前后的ＲＥ－ＴＭ磁光盘材料的抗恶劣环境实验。ＲＥ－ＴＭ磁光盘材料样品的高......
[期刊论文] 作者：缪向水,李佐宜,
来源：薄膜科学与技术 年份：1994
...
[学位论文] 作者：刘晋东,缪向水,
来源：华中科技大学 年份：2018
...
[会议论文] 作者：杨冠平, 童浩, 缪向水,,
来源： 年份：2004
相变存储器是目前唯一利用材料的焦耳热效应来进行数据擦写的存储技术,相变材料的热导率将显著影响相变存储器的功耗、读写速度、临近单元的热串扰等。由于相变薄膜材料的厚...
[期刊论文] 作者：汪超,何翠群,缪向水,,
来源：材料导报 年份：2011
自AI基金属玻璃被发现以来，其较弱的玻璃化能力以及较强的脆性一直是阻碍其发展的主要因素。目前，金属玻璃的形成机制和结构模型等理论尚不完善。从金属玻璃形成能力判据，Al基金......
[学位论文] 作者：张金箭,缪向水,孙华军,
来源：华中科技大学 年份：2018
...
[学位论文] 作者：Adam Abdalla Elbashir Adam,缪向水,程,
来源：华中科技大学 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：胡用时,缪向水,李佐宜,
来源：功能材料 年份：1995
研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。The test met......
[会议论文] 作者：童浩,黄开瑾,缪向水,
来源：TFC`15全国薄膜技术学术研讨会 年份：2015
相变存储器是目前唯一利用材料的焦耳热效应来进行数据擦写的存储技术，相变材料的热导率将显著影响相变存储器的功耗、读写速度、邻近单元间的热串扰等。为了减少器件功耗，应尽量降低相变材料的热导率，以提高热量的利用率；但同时过低的热导率使得相变单元的绝热常数......
[期刊论文] 作者：张乐,李震,陈伟,缪向水,,
来源：微电子学与计算机 年份：2012
介绍了一种基于二分算法的混合信号接口板.该接口板可通过编程任意配置测试芯片管脚实现模拟或数字信号输入端口与输出端口的无损连接,可广泛应用于芯片自动化测试领域.本设...
[会议论文] 作者：闫鹏,李祎,孙华军,缪向水,
来源：TFC`15全国薄膜技术学术研讨会 年份：2015
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型...
相关搜索：
