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[期刊论文] 作者：缪容之,,
来源：宁波大学学报(理工版) 年份：1989
本文给出了记忆粒子模型中n态时m粒子的碰撞比分α_n的数值获取方法;讨论了两种不同的初值赋值方法对结果的影响。在记忆粒子模型中采用本方法提供的α_n,计算预平衡发射与实...
[期刊论文] 作者：缪容之,
来源：宁波大学学报：理工版 年份：1991
本模型提出了核内复杂粒子集团的准直接反应形成机制,给出了复杂粒子发射几率对准直接反应截面σ_s 及能量εβ的依赖关系。计算结果与实验拟合良好。...
[期刊论文] 作者：缪容之,,
来源：宁波大学学报(理工版) 年份：1988
本文证明Cluster模型违背了细致平衡原理,指出了海中核子pick-up图象的不合理性。该模型的发射几率中不考虑复杂粒子正确构成的影响更是一个显著的倒退。...
[期刊论文] 作者：缪容之,
来源：高能物理与核物理 年份：1989
高能的复合系统的激子被分成记忆粒子m与非记忆粒子r两部份.在引入n态m粒子碰撞比α_n后,建立了m与r粒子态-角占据几率的耦合主方程,给出了区分m、r粒子的态密度与发射几率公...
[期刊论文] 作者：董建峰,缪容之,
来源：物理通报 年份：1993
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[期刊论文] 作者：郑振华,陈羽,缪容之,
来源：物理学报 年份：1996
对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设......
[期刊论文] 作者：郑振华, 缪容之, 陈羽,,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1994
本文分析了BaTiO3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO3半导瓷及其有关器件的物理性能...
[期刊论文] 作者：郑振华,缪容之,陈羽,,
来源：科学通报 年份：1993
电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压...
[期刊论文] 作者：郑振华, 缪容之, 陈羽,,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1994
本文分析了BaTiO3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO3半导瓷及其有关器件的物理性能...
[期刊论文] 作者：缪容之,郑振华,董建峰,
来源：宁波大学学报：理工版 年份：1994
本文提出《工科物理》教学的首要目标不在于个别物理知识的传授，而是培育与发展学生科学思维的能力与品格．《工科物理》对置身于迅速更新换代的技术领域中的未来工程师提供必要......
[期刊论文] 作者：周亚训,陈培力,王晓东,白贵儒,缪容之,
来源：宁波大学学报：理工版 年份：1993
本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效...
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