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[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1996
本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５３７Ｋ条件下的模拟结果，并进行了理论分析和验证。...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1995
本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而......
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：电子器件 年份：1994
本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,翟书兵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
介绍了硅材料本征载流子浓度ｍｉ、禁带宽度Ｅｇ、电子和空穴有效质量ｍｎ和ｍｐ及载流子迁移率μ的高温模型和计算结果。其中ｎｉ、Ｅｇ和ｍｎ、ｍｐ模型分别适用于３００￣１２００Ｋ和３００￣７００Ｋ，μ的模型在２５０￣５００Ｋ宽温区及１０＾１３￣１０＾２０ｃｍ＾－３杂质浓度范围内，最大误......
[会议论文] 作者：翟书兵;浦志勇;,
来源：第二十二届中国电工仪器仪表产业发展论坛 年份：2011
电网中负载并不都是“线性”的，随着生产的发展,特别是电力电子技术的发展及其在工业中的广泛应用，包括大功率整流装置在电气化铁路、电弧炉在炼钢中的使用等都将产生谐波继而......
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