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[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,
来源：金属学报 年份：1994
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化，发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物，薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响。......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用透射电镜的衍射方法，研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变。在250℃，Co2Si为最先形成的硅化物；250℃3......
[期刊论文] 作者：栾洪发,肖治纲,柯俊,
来源：半导体学报 年份：1993
本文利用TEM研究了850℃热处理直拉硅单晶中的氧化物沉淀行为。通过不同预处理样品的对比,得出点状沉淀是片状沉淀前身的结论。In this paper, TEM was used to study the...
[期刊论文] 作者：张灶利, 肖治纲, 杜国维,,
来源：金属学报 年份：2004
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．......
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,杜国维,
来源：金属学报 年份：1995
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２......
[期刊论文] 作者：杜国维,袁之良,肖治纲,
来源：北京科技大学学报 年份：1993
通过透射电镜对Fe-25％Cr-6％Al-RE(富镧)合金氧化行为进行研究.结果表明:经1200℃恒温2h纯氧中氧化,合金中镧以六方La_2O_3微小颗粒沉淀在氧化膜中α—Al_2O_3晶粒的顶端及晶界...
[期刊论文] 作者：张灶利,肖治纲,杜国维,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量......
[期刊论文] 作者：肖治纲,王良运,张绪江,
来源：北京钢铁学院学报 年份：1980
本文用薄晶体透射电镜和单色化x线衍射方法研究了50Mn18Cr4奥氏体钢的形变强化机理。实验结果表明,这种钢的层错能很低,轻微变形之后就产生大量层错。随着变形量的增加,对于...
[期刊论文] 作者：肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌,
来源：科学通报 年份：1987
最近我们用高分辨电镜方法研究了750℃50—100h退火后直拉硅单晶中的氧沉淀。选择750℃退火的原因有二:①大规模集成电路工艺正在开发以氧沉淀及其诱生的位错、层错吸收有害...
[期刊论文] 作者：张文林,杜国维,肖治纲,马肇曾,林实,
来源：北京科技大学学报 年份：1997
用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷．用X射线（XRD、扫描电镜（SEW和透射电镜（TEM）技术，研究陶瓷的微观结构．结果表明：湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷；陶瓷在850～920℃烧结，晶粒大小为15......
[期刊论文] 作者：陈伟,杜国维,马肇曾,肖治纲,裘宝琴,
来源：北京科技大学学报 年份：1995
通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。......
[期刊论文] 作者：张灶利,郭红霞,肖治纲,余宗森,王桂兰,
来源：材料研究学报 年份：1999
用电镜对 Ｓｉ （００１） 基体上的 Ｃｏ 薄膜的室温相和稳定性进行了观察， 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明： 室温下， Ｃｏ 薄膜不发生反应， 室温相为α Ｃｏ， 没有硅化物形成． Ｃｏ 薄膜在经过３００ ℃２ｈ......
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