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[期刊论文] 作者：胡冬青（译）,
来源：电力电子 年份：2011
本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1．5cm×1．5cm的区域，采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片...
[期刊论文] 作者：胡冬青（译）,
来源：电力电子 年份：2006
继高压软穿通（Soft-Punch-Through，SPT）IGBT的成功推出，本论文将介绍采用新研发的SPT＋技术的下一代HV-IGBT。新型IGBT，除了与成熟的HV—SPTIGBT一样，具有光滑的开关波形和极佳的SOA...
[期刊论文] 作者：查祎英,高一星,胡冬青（译）,
来源：电力电子 年份：2010
新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了...
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