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[期刊论文] 作者：胡顺欣,,
来源：江西教育 年份：2015
学校是教书育人、立德树人、培养人才的主阵地,育人是没有学科界限的,体育教师同样肩负着培养人才的使命。家访工作是学校德育工作的重要环节,只要拥有一份责任心,体育教师完...
[期刊论文] 作者：胡顺欣,
来源：开心素质教育 年份：2015
长期以来，因受升学文化应试教育体制的影响，学生厌上体育课这一现象至今难以消除。体育课尤其是室外实践课，学生课堂常规很难落实到位，体育课堂存在许多安全隐患，意外伤害事故时常发生，学生“双基”落实目标达成率很低，课堂教学评价效果不好。基于此类现状，国家教育部已......
[期刊论文] 作者：韩东,胡顺欣,冯彬,王胜福,邓建国,许悦,,
来源：半导体技术 年份：2012
介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控...
[期刊论文] 作者：张振宇,胡顺欣,苏延芬,邓建国,刘英坤,,
来源：电子工业专用设备 年份：2009
以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技...
[期刊论文] 作者：苏延芬,刘英坤,邓建国,胡顺欣,冯彬,董四华,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯彬,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。...
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