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[学位论文] 作者：苏绍斌,,
来源： 年份：2007
MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位,为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe材料由于具有迁移率高、禁带宽度小,与CMOS工艺具...
[期刊论文] 作者：苏绍斌,曾路菲,,
来源：中国社区医师(医学专业) 年份：2011
目的：评价热毒宁注射液治疗儿童病毒性肺炎的疗效和安全性.方法：70例病毒性肺炎患儿随机分两组,观察组给予热毒宁注射液治疗,0.5～0.6ml/（kg·日）,1次/日,静滴;对照组给予病毒...
[期刊论文] 作者：徐静平,苏绍斌,邹晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符...
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