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[期刊论文] 作者：范湘军,,
来源：核物理动态 年份：2004
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[期刊论文] 作者：范湘军,
来源：核技术 年份：2000
在国家自然科学基金委数理学部和工程与材料学部的支持和参与下，来自全国的２２位曾承担过物理Ⅱ学科资助项目的专家聚集在武汉大学，就离子束材料学科领域的研究进展和未来发展进行......
[期刊论文] 作者：范湘军,
来源：核技术 年份：1986
Stritzker和Becker用离于注入法制备了PdB_(1.5)合金,证实它具有超导性。Orsay组曾系统地研究过离子注入Pd_(1-x)B_x系(0≤x≤0.54)的电学性质,表明当B的浓度达到共晶浓度(x...
[期刊论文] 作者：吴大维,范湘军,
来源：材料科学与工程 年份：1997
本文采用射频等离子体增强化学气相生长法，在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为晶向的外延生长膜。还用红外吸收我谱拉曼光谱和Ｘ射......
[期刊论文] 作者：郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：1991
在离子注入机靶室中,用原位蒸镀多层薄膜和离子束混合方法获得了非晶 Fe-Cr薄膜。用透射电镜分析了 Cr 的含量、不同的轰击离子、不同的轰击剂量对膜的非晶化程度的影响。用...
[期刊论文] 作者：郭怀喜,范湘军,
来源：武汉大学学报：自然科学版 年份：1989
在200keV离子注入机的变温靶上交叠蒸镀多层Al-Mn薄膜,用Ar~+离子束在室温下轰击使其非晶化,原位测量薄膜样品的电阻率随离子剂量以及温度的变化关系,电阻温度系数TCR及TEM观...
[期刊论文] 作者：郭定和, 范湘军,
来源：武汉大学学报：理学版 年份：2004
以Ni粉为催化剂,在高温下催化热解乙炔(C2H2),制备出了螺旋形碳晶须材料.实验结果表明:催化热解乙炔(C2H2)制备螺旋形碳晶须的最佳温度范围为450～600℃,恒温时间为60～70min,气...
[期刊论文] 作者：蒋昌忠,范湘军,
来源：电子显微学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：孟宪权,范湘军,
来源：薄膜科学与技术 年份：1994
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[期刊论文] 作者：范湘军,张静,张国强,
来源：城市建设理论研究 年份：2014
随着我国经济的发展，房地产行业越来越多，如何在房地产开发过程提高房地产企业的社会效益和经济收益就成为房地产开发公司最为关系的问题。加强房地产企业的工程造价管理是解决......
[会议论文] 作者：彭友贵,范湘军,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
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[会议论文] 作者：范湘军,彭友贵,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：付德君;范湘军;,
来源：97全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：2004
用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ〈，６０〉薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试表明薄膜呈多晶结构，其室温电阻率在１０〈’３〉Ωｃｍ以上，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ的Ｐ〈’＋〉、ＢＢｒ〈’＋〉〈，３〉、Ａｒ〈’＋〉和Ｈｅ〈’＋〉对Ｃ〈，６０〉膜进行......
[会议论文] 作者：范湘军,郭怀喜,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
用电弧入电法制备成功固体氮化碳。用ＸＰＳ法证实了Ｃ－Ｎ共价键的生成，用ＸＲＤ和ＴＥＤ检验其结构，结果和Ｎｉｕ等基本相符。...
[期刊论文] 作者：张静 范湘军 张国强,
来源：城市建设理论研究 年份：2014
摘要：分析我国房地产企业发展趋势，对促进房地产业和整个国民经济的健康发展，乃至维护整个社会的稳定都有十分重要的意义。房地产投资开发的每一个过程均存在着不确定性因素，因而也存在着风险。本文对房地产投资风险做出了探讨并提出预防风险的措施。 关键词：房地......
[期刊论文] 作者：石瑛,蒋昌忠,范湘军,
来源：功能材料 年份：2007
在（0001）面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长P型GaN外延层．对P型GaN薄膜用180keV的Mn^＋离子注入进行磁性粒子掺杂，注入剂量保持为5．0×1015cm^-2，但注入时P型GaN分别处于室温、3...
[期刊论文] 作者：程世昌,范湘军,郭怀喜,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文介绍一种经过改进的气固两用高频离子源。这种离子源改变了旧源的附加磁场,高频耦合感应圈与引出电极之间的安排方向,采用了顶部薄壁的吸极的引出系统以及将管状固体蒸发...
[会议论文] 作者：石瑛,蒋昌忠,范湘军,
来源：湖北省物理学会·武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会 年份：2002
在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的SiGe合金层进行了表面结构分析....
[会议论文] 作者：石瑛,蒋昌忠,范湘军,
来源：湖北省物理学会·武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会 年份：2002
在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的SiGe合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge的含量增加表面合金的晶格膨胀、结......
[会议论文] 作者：郭定和,顾豪爽,范湘军,
来源：第六届全国新型炭材料学术研讨会 年份：2003
用化学气相沉积(CVD)法,在高温下催化热解乙炔(CH),制备出了螺旋型碳晶须材料.实验结果表明:用化学气相沉积法制备螺旋型碳晶须的最佳温度范围为450℃~600℃,恒温时间为60min~70min,压强为1个大气压.经扫描电镜、X射线衍射仪分析表明,螺旋型碳晶须的直径为130nm......
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